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美光第三季財報數字，營收、毛利率、每股稅後純益（EPS）皆超 出財測高標，主要得益HBM營收貢獻季增50％。
美光經營層於法說會重申HBM業績成長、DDR4停產（EOL）後價格改 善、下季（6∼8月）訂單量、價皆將成長。
美光第三季DRAM產品營收71億美元，占整體營收76％，季增15％。 其中，HBM營收季增近50％，DRAM出貨量亦成長超過20％。NAND Fla sh營收則為22億美元，占比23％，季增16％。
美光積極擴充產能，HBM3E已出貨多家資料中心與AI平台客戶，並 開始量產HBM3E 12Hi，具備更高容量與更低功耗，良率與出貨量穩步 提升。
HBM4亦已送樣客戶，預計2026年量產。新加坡HBM封裝廠已經於今 年初動工，2027年起將大幅貢獻產能。台灣與馬來西亞既有廠區同步 升級，增加先進封測產量。
此外，美光於美國本土化生產策略持續推進。愛達荷與紐約兩座廠 預計2027年投產，並且爭取晶片法案（CHIPS）補助與投資抵稅。另 在維吉尼亞州打造DRAM生產線，服務汽車、國防等領域，美光目標實 現40％DRAM美國製造。
製程方面，美光以1α為主力，並已用1β生產 HBM3E，計畫於202 5年量產導入EUV的1γ製程，性能、功耗與密度全面提升，並適用於 HBM、LPDDR5與DDR5。首批1γ LPDDR5已送樣給2026年旗艦手機平台 。
NAND方面，美光預估2025年減產超過10％，並將部分設備轉作先進 節點，以控制供給。美光估計，2025年DRAM與NAND位元需求年增率分 別達17∼19％與11∼13％。
整體而言，美光預期，AI持續驅動高階記憶體需求，HBM訂單在20 25年已全數售罄，全年營收可望創新高。
<摘錄工商>