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汎銓科技發布新研發CP工法

針對大面積觀測的試片需求，汎銓開發出「無刀痕離子切割CEF(curtain effect free)」及「低溫無刀痕離子切割」工法來因應，可應用於3D 封裝及含有軟性材質的有機面板等分析需求。優勢是減少研磨液殘留、減少刀痕、保留結構最原始樣貌。

CP是用離子束進行橫截面樣品製備的常用工具。對於異質材料來說，在製備過程中，如何避免結構變形十分重要。汎銓科技研發出新的CP分析技術，CEF(curtain effect free)，便能盡可能降低結構變型的影響。

<摘錄工商>

2018/10/22【汎銓南科廠開幕 營收起舞】
2018/9/5【汎銓進駐南科 服務零時差】
2018/3/14【半導體材料分析技術 汎銓領風騷】
2018/3/6【汎銓科技發布新研發CP工法】
2018/1/16【汎銓利潤分享 員工幸福指數破表】
2017/9/13【汎銓才力雄厚 躍昇市場贏家】
2016/11/21【汎銓利潤分享員工 創新研發力堅強 】
2016/11/17【幸福企業 汎銓打破低薪不景氣】
2016/9/7【汎銓半導體材料分析 國安等級服務】
2016/3/29【汎銓TEM液態樣品檢驗 獨步市場】
2015/9/2【汎銓 提升TEM試片製備能力】
2015/4/24【汎銓搶進半導體產業 成績亮麗】
2014/10/28【汎銓TEM設備 晶圓檢測利器】
2014/9/3【汎銓專精材料分析 建置先進TEM設備】
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