未上市  

格棋化合物半導體 秀大尺寸SiC材料解方

台灣專業碳化矽（SiC）長晶技術領導廠商-格棋化合物半導體（下稱格棋），於SEMICON Taiwan 2025展出最新大尺寸SiC材料解決方案，聚焦晶體缺陷密度與結構完整性的突破，以滿足業界對高可靠度、高一致性SiC晶圓日益升高的需求。此次展示格棋最新製造成果，包括：原始粉體、8吋導電與半絕緣晶棒與晶圓，體現其從原料到晶圓的垂直整合能力，也為SiC材料應用從實驗走向量產的關鍵里程碑。

隨著電動車、高頻通訊與衛星應用的擴張，8吋SiC晶圓成為新一代功率元件的材料核心。然而，「尺寸放大」並非技術終點，更嚴峻的挑戰是晶體缺陷控制。格棋針對常見的微管（Micropipe）、堆疊錯位（SF）、基底位錯（BPD）等問題，已建構出一套跨越熱場設計、碳比控制、雜質抑制到結晶動態調控的製程策略，將缺陷密度壓低至10²╱cm²以下，大幅提升晶圓可用率與客戶加工良率。

此次展出的5項實體成果，涵蓋高純度粉體、8吋半絕緣與導電型晶棒及晶圓，展現格棋可從原料端控制碳矽比例與熱流均勻性，進而降低晶體內部壓力與多晶型生成率。不論是用於雷達與微波通訊的高頻元件，或車用主驅動模組與能源逆變器，格棋均能提供可驗證、可交付的材料方案，協助客戶更快進入新產品認證流程。

此次展會另一亮點是格棋業務處長吳義章榮獲SEMICON Taiwan主辦的「20 Under 40半導體新銳獎」，表彰其在第三類半導體材料產業推動上的技術深耕與市場落地表現。   <摘錄經濟>

2025/9/12【格棋化合物半導體 秀大尺寸SiC材料解方】
2025/9/10【格棋 秀大尺寸SiC材料解決方案】
2025/9/3【格棋攻碳化矽 Q4登興櫃】
2025/9/3【格棋化合物半導體Q4興櫃 強攻碳化矽】
2024/10/18【筑波科技攜手格斯與格棋 開創電池與SiC晶圓檢測新紀元】
2025/5/5【格棋卓越技術力 金峰獎摘雙殊榮】
2025/1/6【格棋碳化矽晶圓技術 獲國家新創獎肯定】
2024/10/23【棋斥6億元建中壢新廠 6吋SiC月產能5千片】
2024/10/30【格棋化合物半導體中壢新廠落成】