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格棋攻碳化矽 Q4登興櫃
繼化合物半導體廠漢磊(3707)與大股東世界先進攜手建置8吋碳化矽(SiC)晶圓製造,該領域又有新兵加入,格棋化合物半導體昨(2)日宣布,將於第4季登錄興櫃。

董事長張忠傑表示,看好全球高效能源、電動車、AI伺服器與儲能系統等高功率應用需求快速增長,第三類半導體材料中的碳化矽仍為關鍵核心。全球碳化矽龍頭Wolfspeed日前宣布重整,台積電也退出氮化鎵(GaN)代工業務,市場關注第三代半導體未來發展。

張忠傑指出,碳化矽應用面愈來愈廣,因此公司挺進12吋大尺寸,已在中壢設立試產線。張忠傑說,6吋平台現階段仍為公司量產主軸,具備規模效益與良率控制優勢,而8吋晶種長晶與熱場模組設計已完成前期驗證,後續將依據客戶產品世代轉換與應用需求,適時導入8吋製程平台,確保良率穩定與成本效益最佳平衡。

  <摘錄經濟>

2025/9/12【格棋化合物半導體 秀大尺寸SiC材料解方
2025/9/10【格棋 秀大尺寸SiC材料解決方案
2025/9/3【格棋攻碳化矽 Q4登興櫃】
2025/9/3【格棋化合物半導體Q4興櫃 強攻碳化矽
2024/10/18【筑波科技攜手格斯與格棋 開創電池與SiC晶圓檢測新紀元
2025/5/5【格棋卓越技術力 金峰獎摘雙殊榮
2025/1/6【格棋碳化矽晶圓技術 獲國家新創獎肯定
2024/10/23【棋斥6億元建中壢新廠 6吋SiC月產能5千片
2024/10/30【格棋化合物半導體中壢新廠落成
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