未上市  

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體元件的製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:103/10/01

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$287,172

4.其他應敘明事項:

一種半導體元件的製造方法，包括下列步驟。首先，於基底上形成多個堆疊結構，其

中各堆疊結構由下而上依序包括穿隧介電層、浮置閘極、閘間介電層以及控制閘極。

接著，形成覆蓋於堆疊結構的第一介電層，其中第一介電層具有多個懸突，懸突包覆

堆疊結構之頂部。然後，進行乾式共形蝕刻製程，以共形地移除第一介電層，直到移

除位於控制閘極頂部的高度以下的第一介電層。接下來，於堆疊結構上形成第二介電

層，其中第二介電層連接相鄰的懸突，而在堆疊結構之間形成氣隙。

<摘錄公開資訊觀測站>