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2026/04/20 埃世代關鍵門檻 宇川卡位低溫製程商機

半導體產業於2026年正式步入「埃世代」（Angstrom Era），先進製程對熱預算（Thermal Budget）要求持續收緊，如原本約400°C的 Hybrid Bonding（混合鍵結）製程，已出現低溫化趨勢，避免高溫影響電晶體特性與摻雜穩定性。半導體業者認為，隨製程節點持續微縮，低溫製程已不再只是優化選項，而是2奈米以下能否順利量產的關鍵門檻。

　　業者形容，過去半導體製程就像「高溫烘焙」，現在卻必須改成「低溫慢煮」，否則元件內的摻雜物質會因高溫擴散，影響電晶體運作，甚至拖累良率。在低溫化趨勢下，製程難度同步升高；如何在降低溫度的同時維持材料鍵結強度與結構穩定性，成為晶圓廠與供應鏈競逐焦點。

　　據悉，國際知名ALD設備大廠已推出可在接近200°C條件下運作的新材料方案，顯示低溫鍵結技術逐步成熟，也帶動相關材料需求升溫。台廠宇川則攜手台灣明志科大教授阮弼群，透過國科會產學合作計劃，開發「TSA（三矽胺）新型前驅物材料」。

　　相較傳統需高溫反應的矽材料，TSA可在約200°C完成沉積與反應，大幅降低製程溫度，對應2奈米以下製程需求。簡言之，TSA的優勢在於，讓材料在低溫下能完成反應；宇川鎖定先進製程低溫材料商機，已完成台、美、韓、日、中等多國專利布局。

　　除溫度優勢外，TSA在電性表現也帶來改善。根據研調，HKMG （高介電金屬閘極）採用TSA 摻雜後，可降低一個數量級，從10的12次方降至10的11次方，有助減少電流散射，提升晶片運算速度與穩定性。同時，材料中的碳雜質也明顯降低，有助減少漏電並提升可靠度。

　　宇川指出，TSA可能改變既有製程架構。目前業界常用的高品質氧化層製程（如ISSG）需在900°C以上高溫環境進行，不僅耗能也增加設備成本；若未來改用TSA搭配低溫製程達到相近效果，將有機會降低設備投資並簡化製程流程，對晶圓廠而言具備不小的吸引力。

　　法人分析，隨先進製程對熱預算要求持續收緊，宇川若後續順利切入晶圓廠驗證流程，將有機會卡位新一波材料升級與供應鏈重組商機。

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