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2025/09/10 ALD助推摩爾定律 天虹、京鼎迎爆發
台積電2奈米(N2)將在2025下半年如期量產,2026年下半年跨入埃米製程時代,原子層沉積(ALD)技術成為延續摩爾定律的關鍵推手。ALD閥業者Swagelok認為,AI帶動高效能晶片需求,ALD站點(製程機台配置)可望翻倍成長,法人看好天虹、京鼎、宇川等台灣在地化供應業者。

  台積電處長陳健博士表示,能源效率運算是AI成長的核心,需要器件架構創新、微影技術進步、新材料應用、設計技術協同改善(DTCO)及系統技術協同改善(STCO)等多重技術突破。

  ALD是控制原子層次的沉積技術,能將材料一層層精準堆疊。相較傳統CVD(化學氣相沉積)與PVD(物理氣相沉積),ALD的特性就像「千層派」,能在晶圓表面均勻堆疊薄膜。Swagelok工程管理部門產品設計總監JoaoBorges預期,ALD在製程比重將由目前5∼10%翻倍提升。

  Swagelok專精於ALD控制閥,最新的精準微量控制(DoseControl)技術,導入感測器與電腦運算,結合預測時間校正演算法與氣動系統改善,達到多閥門開關的精準控制。

  天虹已有ALD設備交付實績,應用於光學領域。供應鏈透露,天虹正與晶圓代工大廠合作2奈米以下製程,未來TSV、晶背供電結構都將大量導入ALD;尤其在CoWoS-L架構中,被動元件無法耐高溫,必須透過低溫ALD工法完成襯墊(liner)沉積。

  天虹已有ALD設備交付實績,應用於光學領域。供應鏈透露,天虹正在與晶圓代工大廠合作2奈米以下製程,未來TSV、晶背供電結構,都將大量導入ALD應用;尤其在CoWoS-L架構中,被動元件無法耐高溫,必須透過低溫ALD工法完成襯墊(liner)沉積。

  ALD前驅物公司宇川指出,金屬前驅物決定沉積材料種類,並需要開發特殊的化學品來實現原子結構的堆疊;如同「穿了衣服的原子」,這些「衣服」在化學品之間不能反應,但在材料表面能與氧化物等反應,以實現精確的單層沉積。

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