DRAM價格重回2美元以上,被視為次世代主流的DDR3再傳
缺貨消息,讓 DRAM廠加速50奈米DDR3製程微縮速度。隨著
DRAM產能大量開出,近兩年來沒有太大擴產動作的後段封測廠
,再度被DRAM廠追著要產能,包括力成(6239)、福懋科(8131
)、華東(8110)等已順勢調漲測試價格,第4季營收季增率可望
上升至5%至8%間,成為封測業者表現最好的次族群。
全球DRAM產業版塊重整已暫告段落,台灣分成以南亞科及
華亞科為主的美光派,及以力晶、瑞晶、茂德、華邦等為成員的
爾必達派,由於 DRAM市場需求明顯提升,DRAM現貨價及合約
價已回到DRAM廠成本之上,同業間的殺價競爭也已結束,所以
DRAM廠現在均加速導入50奈米DDR3 世代產品線,以爭取更好的
獲利及更高的現金流量。
不過,隨著50奈米製程DDR3產能陸續開出,現在DRAM測試
已出現產能供不應求的現象。業者表示,過去兩年DRAM封測廠投
資有限,現有舊機台無法完全支援DDR3的速度測試,但採購的新
測試機台要等到明年第2季後才會陸續到位開出產能,所以現在
DDR3已呈現測試產能短缺問題。
事實上,DRAM廠將主流產品由70奈米1Gb DDR2轉換至50奈
米2Gb DDR3,製程由70奈米微縮到50奈米後,單片晶圓產出將增
加80%,但因容量增加一倍,所以實際的顆粒產出數量沒有太大
差別,DRAM封裝產能仍然足以因應需求。
但測試部分,DDR3測試時間需拉長至800秒至900秒間,相較
於DDR2僅需400秒至450秒的測試時間,新產品的測試需求等於大
增將近一倍,但包括力成、華東、福懋科等封測廠,現有測試產
能近兩年的擴充幅度有限,現在當然無法因應需求,單顆平均測
試價格也因此由0.1美元漲到 0.15美元。
記憶體封測廠原本預估第4季營收僅會較第3季增加3%至5%
,但受惠於測試價格調漲、DRAM廠50奈米DDR3產能加速開出,
所以第4 季營收展望均已向上調升,季增率應可達到5%至8%區
間,且因測試設備要等到明年第2季才能到位,所以明年第1季的
營收還有小幅成長2%至3%的空間。
<摘錄工商>