晶圓代工廠近來積極佈局第三代半導體材料氮化鎵 (GaN)，除龍頭廠台積電 (2330-TW) 已提供 6 吋 GaN-on-Si(矽基氮化鎵) 晶圓代工服務外，世界先進 (5347-TW) GaN 製程也預計年底送樣，聯電 (2303-TW) 同樣積極投入 GaN 製程開發，攜手子公司聯穎佈局高效能電源功率元件市場。
聯電表示，GaN 製程開發是現有研發計畫中的重點項目之一，目前與轉投資公司砷化鎵 (GaAs) 晶圓代工廠聯穎合作，仍處於研發階段，初期將以 6 吋晶圓代工服務為目標，未來也會考慮邁向 8 吋代工。
聯穎光電是聯電持股 81.58% 子公司，為其新投資事業群的一員，提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務，終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地台、物聯網、國防航太、光纖通訊、光學雷達，及 3D 感測元件等。目前營運持續虧損，去年虧損 2.79 億元，今年首季則虧損 861 萬元。
20年純熟矽基CMOS 六吋代工經驗 ; 身為聯電集團新投資事業群的一員,更承襲了聯電多年在代工產業的製程心得, 致力為砷化鎵微波及射頻積體電路服務產業另闢新氣象。
聯穎擁有最先端的砷化鎵製程技術，為全球積體電路設計公司及整合元件的製造廠提供專業、彈性、具競爭力的晶圓代工服務。本著持續創新原則，擁有紮實技術的聯穎研發團隊將持續推出最尖端的III-V族技術 ; 聯穎亦將秉持聯電一流的製造能力與務實、效率的管理精神，為客戶創造最大價值。
提供的技術範圍從砷化鎵新一代HBT技術、0.15微米 pHEMT技術、氮化鎵高功率元件到SAW 濾波器; 並跨足光電元件製造，包含砷化鎵基底，磷化銦基底之檢光二極體及消費性電子應用之雷射光電元件。聯穎完整的產品線可廣泛應用於智慧型手機之無線行動通訊、無線區域網路、微波無線大型基地站、全球定位系統、無線微型基地台、有線電視、物聯網、國防航太、光纖通訊、光學雷達，以及 3D感測元件等領域。
聯穎提供III-V族及CMOS specialty業界最完整廣泛產品組合的 6 吋晶圓代工服務。我們將持續投入化合物半導體新技術的研發，致力成為無線通訊、消費性光電技術及綠能電子的先驅領導者，以達成協助客戶創造最大價值的終極目標。
今明幾天 聯穎光電 110年股東常會議事錄也會陸續寄發給股東，內文資料有幾個亮點令人期待。
聯電集團下 聯穎光電即將發光發熱?！請拭目以待！
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蘋果新機供應鏈啟動，砷化鎵動能轉強
蘋果下半年將推出 iPhone 13 新機，砷化鎵族群受惠 5G 手機 PA 用量增加、iPhone 13 預計全系列導入 ToF（飛時測距）鏡頭，將帶動拉貨動能至第二季底開始出現、延續到下半年，穩懋、全新、宏捷科將受惠新機效益，下半年營運動能將轉強。
蘋果下半年將推出iPhone 13新機，相較去年新機因為疫情延後推出、供應鏈拉貨時程也延後，預期今年將依照過往步調在9月上市，上游砷化鎵預計第二季底就會開始出貨，延續至下半年。
外界預期，今年在新機規格提升帶動下，iPhone在高階市場市佔率有機會提升，銷售量可望達2.3億至2.4億支，成長一成以上。
穩懋：3D感測VCSEL拉貨轉強
市場預期，iPhone 13將全系列導入ToF鏡頭，而lumentum為iPhone 3D感測元件VCSEL主要供應商，穩懋則為lumentum主力代工廠，預期下半年穩懋3D感測VCSEL拉貨動能會明顯轉強。
法人認為，除了蘋果新機，下半年Android陣營也將推出多款5G手機，有助5G PA需求走揚，預期穩懋下半年手機PA、3D感測VCSEL拉貨力道升溫帶動下，整體下半年營運可望較上半年走強。
全新：客戶涵蓋主要射頻元件商
此外，蘋果手機PA主要供應商為射頻元件廠博通、Qorvo、Skyworks，磊晶廠全新客戶涵蓋這三家，也將受惠iPhone 13推出，帶動下半年訂單動能升溫。
全新除了iPhone，還有非蘋5G手機、Wi-Fi 6、車用光達等訂單需求湧現，目前產能吃緊，今年以購入二手機台以及部分研發線轉做量產線因應訂單需求，新購入的MOCVD機台預計明年第一季投產、產能估計增加一至二成。
宏捷科：Skyworks滿載，外溢訂單湧現
宏捷科為Skyworks外包代工廠，Skyworks擁有自有產能，也就是所謂的IDM廠，過去訂單需求不明顯時，Skyworks多以自有產能消化訂單，不過據了解，自去年下半年開始，Skyworks已被iPhone 12及4G PA需求擠爆，上半年又要備戰蘋果新機，產能滿載下，Skyworks必須將溢出訂單予宏捷科，包括4G、5G PA訂單都會有一部分外包宏捷科。
宏捷科方面，因近年持續分散客戶，加上美中科技戰，中國啟動半導體去美化，宏捷科受惠轉單效益、接獲非常多中國IC設計公司訂單，宏捷科目前產能滿載，因應下半年Skyworks外溢訂單、中系客戶訂單需求，將啟動擴產，預計7月將由目前月產能1.2萬片提升至1.5萬片，並規劃9月底產能達1.7萬片，至今年底達2萬片，等於下半年擴產幅度高達六至七成。
長期而言，砷化鎵族群受惠5G基地台持續佈建、5G手機滲透率提升、物聯網射頻需求激增、衛星通訊覆蓋率提升、化合物半導體在光通訊／感測領域應用勃發，預期穩懋、宏捷科、全新長期將受惠市場需求提升，讓營運動能有持續向上空間。
積極除舊布新先進設備，甚至延續至明年都不會間斷，擴新設備都需要機台校正方能慢慢放大產能，
透抽大希望Q2當季就賺大錢，恐怕要期望下半年了。
營收雖減少，毛利大幅提高，反而賺更多錢，這是聯穎光電應該走的方向，產能供不應求就該排除低毛率產線。
營收爆發，小弟研判Q3起MOM、QOQ會高達15%、20%以上，非常有信心。
聯電成熟製程已經走到28奈米極致，無法進化窘境下，最大利基點就是在第三代半導體蛻變進化，
大趨勢方向一致姓，聯穎光電將會是未上市黑馬，也將成為興櫃的風雲人物，問鼎穩懋前先當老二哥，當然股價100元起跳，熱度夠飆到阿公阿罵都不認識了。
下週開始持有聯穎光電股東將會收到公司寄給之股東會會議事錄(通知單)
內文可清楚看到聯穎光電去年研究金費高達1.5E，佔資本額將近10%，這還不包含聯電集團的私下資源全力支持！
聯穎光電再化合物半導體已經專研30年，去年開始才大幅度拚搏設備更新，
第三代半導體技術提升與聯電集團的緊密度，不言可喻，請珍惜手上從聯電光電員工搶來的門票。
最近價格挺不錯，股價70左右。算一算本益比挺高，但絕對值得入手，
希望股價維持在這裡，先讓聯穎光電員工受不了誘惑賣一波。
路要走長遠的，別短視近利阿阿！！
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漢磊:從5月-->到今天已經從40元到120元
車用的二極體(終端產品類)
台半:從5月-->到今天已經從38元到90元
強茂:從5月-->到今天已經從39.6元到113.5元
美股的Cree(碳化矽晶圓龍頭)一年以來漲到USD 93.15元
中美晶入主宏捷科
都可以看出大趨勢
等待7/28看看聯電財務報告不遲
聯穎光電正在跟三安光電競賽中！
第三代半導體、集成電路等芯片概念股掀漲停潮。其中，第三代半導體族群強勢吸金，斯達半導、聚燦光電、三安光電、台基股份、英唐智控、易事特等多股大幅上漲。
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三安半導體湖南廠 投產
總投資人民幣160億元的三安半導體湖南基地一期項目昨（23）日投產，成為大陸首條、全球第三條碳化矽垂直整合產業鏈，可月產3萬片6英寸碳化矽晶圓。這也是大陸LED晶片龍頭三安光電向第三代半導體領域擴張的重要一步。
三安光電是大陸LED龍頭業者，第一財經報導，近年大陸掀起第三代半導體的投資熱潮，台積電最近也在擴大氮化鎵等第三代半導體業務。三安光電人士認為，雖然氮化鎵、碳化矽都屬於第三代半導體範疇，但是氮化鎵功率器件用於手機快充、數據中心電源等領域較多。
若要辦理增資時就可以不用印股票，不用等到公開發行
另一個積極的解讀是，公司近期準備要辦理現金增資，然後送公開發行。
因為，時間相隔不會很遠，所以修改章程，這樣就省去辦現增時還要印一次股票。
而且，可以透過辦理現金增資時，就可以將手中已經有股票的存入集保帳戶。
分享聯穎光電110年股東常會 章程修正內容
附件五、公司章程條文對照表
第五條 條文
原條文：
本公司股票概為記名式，由代表公司之董事簽名或蓋章，依法簽證後發行之。本公司發行新股時，其股票得就該次發行總數合併印製股票。
本公司 【公開發行後】得免印製股票，但應洽證劵集中保管事業機構保管或登錄。
修訂後條文：
本公司股票概為記名式，由代表公司之董事簽名或蓋章，依法簽證後發行之。本公司發行新股時，其股票得就該次發行總數合併印製股票。
本公司 【亦】得免印製股票，但應洽證劵集中保管事業機構保管或登錄【本公司發行之股份】。
第七條 條文
原條文：
本公司股票事務之處理辦法悉依主管機關之有關規定辦理。
。
修訂後條文：
本公司股票事務之處理辦法悉依主管機關之有關規定辦理，【公開發行後之股務處理，除依法另有規定外，係依(公開發行股票公司股務處理準則)辦理】。
第二七條
原條文：
本章程訂定於中華民國99年10月1日，第一次修正於民國100年1月24日，第二次修訂於民國101年6月28日，第三次修正於民國104年2月26日，第四次修訂於民國105年6月3日，第五次修訂於民國106年5月31日，第六次修訂於民國108年6月6日。
修訂後條文：
本章程訂定於中華民國99年10月1日，第一次修正於民國100年1月24日，第二次修訂於民國101年6月28日，第三次修正於民國104年2月26日，第四次修訂於民國105年6月3日，第五次修訂於民國106年5月31日，第六次修訂於民國108年6月6日，【第七次修訂於民國110年7月6日】。
化合物半導體成科技新戰場
在5G、新能源與電動車的驅動下，估計未來五年，化合物半導體產值將增加三倍以上，是科技產業競逐的新戰場。
講到化合物半導體，一般人可能覺得陌生，但說到「黑科技」氮化鎵（GaN）快速充電器，才恍然大悟。化合物半導體有高功率密度，可大幅縮小產品體積，在高頻、高溫與高電壓的環境下，仍有極佳效能。在5G、綠能與電動車市場驅動下，估計未來五年，化合物半導體產值將較2020年增加約80%，是科技產業競逐的新戰場。
工研院產業科技國際策略發展所預估，2020年全球化合物半導體產值大於1000億美元，占整體半導體產值約18.6%，預估2025年將成長至1,780億美元，主要應用包括高階通訊、功率元件、光電應用等。美、日、歐等國已將化合物半導體列為軍事防衛及太空發展的重要材料，甚至成為出口管制的戰略物資，其重要性可見一斑。
矽作為半導體材料應用已有60年的歷史，因為容易取得及穩定性高，已發展至奈米級量產製程，具有不可取代的地位。隨著電動車、新能源、無線通訊等創新發展，電子控制及光電元件的耐受性必須更高，矽的物理特性無法承受高溫高電壓衝擊，半導體材料不再以「矽」一枝獨秀，漸次開發出第二代半導體的砷化鎵（GaAs）及磷化銦（InP），以及第三代的碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）。
工研院產科國際所研究總監鄭華琦分析，科技已進入遠距傳輸、人機互動、機器與機器溝通的時代，再加上國際間節能低碳排的要求，開啟了化合物半導體龐大市場需求，是深具潛力但尚未充份開發的領域。目前第三代半導體已證實具有市場潛力與價值的材料主要有兩種：GaN及SiC。
兩大應用領域：通訊及功率元件
鄭華琦指出，從應用面來看，化合物半導體在通訊元件及功率元件的發展機會最大。首先在通訊方面，愈來愈多5G通訊基地台的功率元件採用GaN，使頻率在24GHz以上應用無虞。另外5G時代，在毫米波方面，能承受更高功率、減少更多耗損、且尺寸更小的第三代半導體，GaN將成為未來PA材料的主流，未來手機終端的RF射頻、6G通訊的太赫茲高頻通訊等，也都要仰賴化合物半導體。
其次在功率元件方面，目前GaN已應用於消費電子的功率元件，可縮小充電裝置的體積，縮短充電時間，例如手機、NB等電子載具之快充，APPLE將有可能採用USB-C方案並且支援PD快充；化合物半導體在車用電子的應用將最為廣泛，包括汽車的動力驅動系統、先進駕駛輔助與感知系統、車聯網通訊，電動車充電樁等，都少不了它。SiC的散熱好，可承受高溫、高電壓及更嚴苛環境，主要建置於太陽能發電的功率調節器、數據中心的伺服器電源，以及軌道車及工業控制的電路系統。SiC因獲特斯拉（Tesla）Model 3率先用於馬達逆變器模組，因SiC晶圓取得不易，供應鏈積極搶進。
放眼全球合物半導體大廠，以SiC晶圓供應以美國大廠Cree為首，是具有上下游整合製造能力的整合元件製造商（IDM），在SiC之全球市占率高達六至七成。磊晶廠則以美國的II-VI Incorporated為代表；模組廠包括歐系的意法半導體（STM）、英飛凌（Infineon）、日本的Rohm、三菱電機等。
技術門檻高 長晶及切磨是關鍵
鄭華琦分析，目前各國投入化合物半導體的廠商並不算多，主要是技術門檻高。其製程與矽半導體類似，同樣必須經歷晶球、晶圓切磨拋、元件製作、封裝、模組等階段；不過，化合物半導體是兩種以上的元素結合，必須考慮晶格及原子的匹配性，在晶球生長及晶圓加工的階段更為困難。以SiC為例，將碳與矽兩種材料進行高溫熔融，必須精準掌握兩大要件：高真空度及高溫均勻性；對照矽晶圓，因為熔融溫度較低，可長出的晶棒較大也較快，而碳化矽半導體的晶球製作不如矽晶棒，因此成本居高不下。
也因為這樣的技術門檻，臺灣在矽半導體的成功經驗不見得能完全複製。目前國內廠商參與化合物半導體仍以代工為主，包括：具備6吋矽基氮化鎵（GaN on Si）量產能力的嘉晶；矽半導體龍頭台積電，也早有投入GaN on Si半導體的製造；甚至如晶電的長晶品質穩定，已打入功率元件市場；另漢磊也已獲得車用化合物半導體元件驗證，並積極投入量產，茂矽、世界先進也都宣示投入化合物半導體的研發製造。
發展IDM能量 催生下游應用
鄭華琦指出，臺灣發展化合物半導體，具有兩大優勢，一是半導體供應鏈完整，已較其他國家更具優勢。二是車用零組件供應鏈發達，據悉Tesla電動車供應鏈之中，臺廠就占了七到八成，而車用電子是化合物半導體最快發酵的應用，無非是臺灣加值產業鏈連結之好機會。
鄭華琦建議，臺灣要建立化合物半導體的領先地位，可從整合製造的IDM模式著手。主要是化合物半導體的新製程，上下游具有高度相依興趣維持高品質和可靠度，例如長晶純度與晶圓切割損耗對於模組效能及成本至關重要。唯有充分掌握上下游所有環節，尤其是原料取得、長晶設備、切磨拋技術，才能打造高良率與高品質的產品，作為相關應用的良好基礎，進而催生豐富的產業生態系。
此外，中美貿易戰打亂全球供應鏈版圖，掌握自有技術是因應變局的不二法門，若能透過IDM練兵，從上到下建立屬於臺灣的化合物半導體核心技術，可以降低代工模式受牽制的風險，在新的半導體時代創造更高附加價值生態鏈。
第三代半導體的晶圓價格是傳統矽晶圓的好幾倍
壞一片就損失慘重，良率提升，毛利率才有辦法提高
聯穎光電營收及爆發性成長一定會讓投資人眼光驚豔。
有先進大大說第1季虧損主要是2萬片晶圓片報廢受損，現況已排除，產能順利進行，
這部分我補充一下，因應市場缺貨及汙染可控，部分經搶救還是能順利出貨，
增資的部分，說太直白容易破功，小弟猜測認知未來如有增資，增資價格落在40~55元間，時機點落在2022年第一季尾，明年股東會前會公布。
馬斯克星鏈計畫 低軌衛星商機聯穎光電吃下去，肯定大補，
終端市場產品陸續開出，需求激增，但聯穎光電的產能滿載下，沒有能力接太多產品，目前接高毛利的產品出貨。
2021年聯穎光電
第一季 市場缺貨，設備擴廠，報價漲價，員工加班
第二季 市場缺貨，設備擴廠，報價漲價，員工加班
第三季 市場缺貨，設備擴廠，報價漲價，員工加班
第四季 市場缺貨，設備擴廠，報價漲價，員工加班
佔穩趨勢風口，正如火如荼擴廠進行中，
聯電集團下 聯穎光電即將發光發熱?！請拭目以待！
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電動車商機驅動寬能隙半導體布局趨之若鶩 台廠搶攻不落人後 2021-07-15
儘管 COVID-19 和中美貿易摩擦對全球汽車供應鏈的運作及車市造成衝擊，但基於開發車用晶片所需的驗證時間長，以及汽車產業持續邁向電氣化、智慧化等電動車化的發展，各大車廠無不提早佈局新款車輛搶占供應鏈，進而帶動車用半導體的需求繼續上揚。根據研調機構 TrendForce旗下之拓墣產業研究院表示，2021年全球車用晶片產值將上看210億美元，年成長為12.5%。未來不只電動車需要第三代半導體，從提升太陽能發電效率、縮短電動車充電時間，到提高資料中心的用電效率、縮小行動裝置電源體積，都用得上這項技術。
碳化矽(SiC)半導體材料被寄予厚望
半導體材料歷經三個發展階段，第一代是矽(Si)等基礎功能材料；第二代進入由兩種以上元素組成的化合物半導體材料，以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等為代表；第三代則是氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等寬能隙(Wide Band Gap，WBG)化合物半導體材料。從應用面來看，第三代化合物半導體在通訊元件及功率元件的發展機會最大。在通訊方面，5G通訊基地台的功率元件已採用GaN，未來手機終端的RF射頻、6G通訊的太赫茲高頻通訊等，GaN依舊會是主流。雖然GaN已應用於消費性電子的功率元件，但在車用電子方面，SiC因散熱好，可承受高溫、高電壓等更嚴苛環境，將被寄予厚望。
近來由於主動力與各子系統運作都需高度仰賴電力的電動車產業崛起，驅動車載資通訊、先進駕駛輔助系統(Advanced Driver Assistance Systems，ADAS)與自駕車等智慧化發展，汽車產業邁向電氣化和智慧化已成趨勢，未來能否在市場上勝出將取決於車用功率半導體性能及產能的掌握度，進而帶動能為高效能電源管理帶來好處的寬能隙半導體需求上揚。碳化矽（SiC）因其能耐高壓、高電流、高溫，還具備高能源轉換、高頻運作等特性，在電動車市場備受矚目，成為電動車產業的新寵。
隨著第三代半導體材料成為各大晶圓廠逐鹿之地，與傳統以矽為基之功率半導體元件相比，碳化矽半導體元件具更高的開關頻率和耐熱性，因此能兼顧高耐壓、低損耗之碳化矽功率元件(SiC Power Device)被寄予厚望。在第三代半導體材料中，碳化矽越來越受重視，這可從特斯拉(Tesla)在Model 3的逆變器模組上採用碳化矽而嗅出端倪。近年隨著新一代電動車的加速普及，在動力逆變器等車電動力總成系統方面，為了開發出更高效率、更小且更輕的電動系統，連帶功率元件(power device)也必須跟著進化。安森美半導體（ON Semiconductor）、羅姆（ROHM）和瑞薩（Renesas）等全球各大功率半導體供應商及車用電子元件大廠，也因致力發展電動車而對驅動核心之動力逆變器系統發布新款的碳化矽 MOSFET。圖1為各大功率半導體商供應鏈垂直整合積極布局電動車用功率碳化矽營運的示意圖。同樣，根據市調機構Yole Développement對2019至2025年間功率SiC市場在各領域別的應用資料顯示，許多車廠持續對基於碳化矽元件的主逆變器（Inverter）、車載充電器(on board charger，OBC)及直流/直流轉換器(DC/DC converter)進行驗證，準備搭載在即將推出的車款上，從而驅動全球電動化車款(xEV)之車用碳化矽元件市場快速成長且超越其他應用領域，並預計到2025年市場規模將達15億5千3百萬美元，2019至2025年間的複合年增率（CAGR）為38% (圖2)。
台灣晶圓材料供應商也積極布局碳化矽 搶攻電動車商機
除了國際知名的功率半導體業者積極布局外，台灣供應鏈也不落人後，積極布局寬能隙半導體市場搶攻電動車商機。其中太陽能廠中美矽晶集團近年積極佈局半導體材料，不僅成為近年投入氮化鎵(GaN)製程開發的宏捷科的最大股東，也看好第三代化合物半導體材料的發展，集團旗下子公司環球晶圓股份有限公司(Global Wafers Co. Ltd.，簡稱環球晶) 是目前國內最大的3至12吋半導體矽晶圓材料供應商，也是半導體上游晶圓材料全球第三大供應商(市佔率18%)，在2020年7月27日更與交大合作成立化合物半導體研究中心，希望透過產學合作方式加速完成碳化矽基板自主開發生產的目標。
因為當前全球碳化矽基板供應集中在美國Cree手上，但Cree不願意單獨販售碳化矽基板，導致市場上氮化鎵產品不夠普及。在碳化矽基板難以取得之際，正在開發碳化矽基板的環球晶成為宏捷科順利量產碳化矽基氮化鎵(GaN on SiC)產品的最大助力。不僅如此，透過環球晶、宏捷科上下游關係的互補效應，加上宏捷科與終端客戶應用的驗證，環球晶更加了解市場動態而能提供更符合客戶需求的晶圓產品。此重要布局可望在電動車與5G應用等兩大產業趨勢帶動下嶄露商機。
環球晶目前在化合物半導體的佈局有三大主軸，包括矽基氮化鎵（GaN on Si）、碳化矽基氮化鎵（GaN on SiC）以及碳化矽（SiC）。GaN on Si目前已有6吋量產能力，GaN on SiC由於製程難度較高、目前只能做到4吋，SiC產能則在取得認證中。台廠材料端除環球晶表現最為亮眼之外，漢磊投控旗下磊晶矽晶圓廠嘉晶則具備4吋、6吋碳化矽磊晶及6吋氮化鎵磊晶量產能力。
功率暨化合物半導體委員會由那些公司組成！?
榮譽主席
張育銘 Dr. Herman Chang 高級副總裁
萬邦新能源投資集團有限公司
主席 李宗鴻 Mr. Brian Lee 策略長
穩懋半導體股份有限公司
副主席
林嘉孚 Dr. Barry Lin 技術長暨副總經理
聯穎光電股份有限公司
..................................................
程一誠 Dr. Yi-Cheng Cheng 材料暨光電研究所所長
國家中山科學研究院
委 員
李文中Dr. Wen-Chung Lee CTO 技術長
合晶科技股份有限公司
..................................................
詹益仁 Dr. Ian Chan 技術長
乾坤科技股份有限公司
..................................................
孫慶宗 Dr. CT Sune 總經理
嘉晶電子股份有限公司
..................................................
史蒂芬 科茨 Mr. Stephen Coates 營運副總
氮化鎵系統有限公司
..................................................
陳溪新 Dr. David Chen 總經理
漢民科技股份有限公司
..................................................
吳志毅 Dr. Chih-I Wu 電子與光電系統研究所 所長
工業技術研究院
..................................................
但唐諤 Mr. Simon T. Dann 總經理
高平磊晶科技股份有限公司
..................................................
王炳中 Mr. P.C. Wang 專案副總經理
菱生精密工業股份有限公司
..................................................
羅有綱 Mr. YK Lo 電源系統事業群技術總監
光寶科技股份有限公司
..................................................
唐亦仙 Ms. Rebecca Tang 董事長暨總經理
台灣茂矽電子股份有限公司
..................................................
劉中一 Mr. Albert Liu 部經理
台灣積體電路製造股份有限公司
..................................................
呂紹萍 Mr. Heinz Ru總經理
同欣電子工業股份有限公司
..................................................
施韋Mr. Wayne Shih總經理
晶成半導體股份有限公司
..................................................
陳姿鈞 Dr. Claire Chen 全球業務及規劃副總經理
世界先進積體電路股份有限公司
..................................................
徐秀蘭Ms. Doris Hsu 董事長暨執行長
環球晶圓 (股) 公司
..................................................
蔡文蔭 Dr. Charles Tsai 技術長
台達電子工業股份有限公司
..................................................
張載良 Mr. Lance Thio 行銷業務中心副總經理
漢磊科技股份有限公司
..................................................
聯電集團下 聯穎光電即將發光發熱?！請拭目以待！
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三五族半導體 外資挺 2021-07-08
全球5G通訊及先進科技加速應用，三五族半導體商機迎接爆發期，滙豐證券表示，未來三年三五族半導體市場規模預期高速成長，尤以RF元件、3D感測及光電元件需求最樂觀，預估將領先多數科技應用的成長性，為此納入台廠的立積（4968）、全新和宏捷科為研究範圍，全數給予「買進」評級。
三五族半導體指元素周期表中，第三族和第五族形成的化合物，例如砷化鎵、氮化鎵等，這類化合物的導電性在導體和絕緣體之間，而和半導體材料的差異則在寬能帶間隙及高電子遷移率，因此特別適合應用到5G等通訊系統。
滙豐預測，2020-2023年三五族半導體市場將複合成長23%，規模挑戰34億美元，三大成長最快領域包含RF元件、3D感測及光電元件，主要來自5G裝置大量使用RF元件，iPhone引領手機配備3D感測功能，及通訊基地台、資料中心和終端裝置廣泛納入光電元件。
滙豐表示，台灣供應鏈中，立積是射頻IC設計廠指標，目前公司最大動能來自WiFi 6商機成長，特別是中國的電信市場為營運主力。立積客戶也囊括高通、聯發科、博通等國際大廠，在全球連網商機活躍帶動WiFi 6的裝置與日俱增。
滙豐指出，立積同步致力於手機WiFi技術研發，可望成為營運另一大引擎，現階段立積的WiFi 5模組已獲得三星、LG等採用，未來有機會再獲得手機品牌OPPO、VIVO、小米等積極採用WiFi前端模組，讓立積的WiFi事業擴大成長。
全新是全球主要的砷化鎵磊晶廠，同步受惠5G和WiFi 6商機。滙豐表示，由於5G手機耗用的砷化鎵晶圓較4G多三到五成，WiFi 6也比WiFi 5多出三成，使市場對全新的產能需求大增。2019年全新在全球市占率約26%，預估2023年提升到40%。其中，中國5G基地台需求可望自今年下半年加速，推估全新下半年Photonics收入將較上半年成長47%，配合積極擴產、LiDAR應用及低軌道衛星需求陸續釋出，強勁動能看好到2023年。
2021-07-07 10:18 經濟日報 / 記者謝佳雯／即時報導
中國大陸射頻元件龍頭卓勝微傳出推出適用於5G通信制式sub-6GHz的高頻產品和WiFi射頻模組產品，並打入華為、TPLink供應鏈，擴大和Qorvo、Skyworks、立積（4968）等競爭對手爭搶市場，且將成為聯電（2303）旗下GaAs代工廠聯穎光電的最大客戶。
卓勝微成立於2012年，在射頻開關領域占全球10%的市占率，現在已經是大陸國產射頻開關龍頭。從資料來看，卓勝微第1季營收有人民幣11.8億元，年成長162.4%；淨利有4.92億元，年增2.2倍。
市場傳出，卓勝微推出的WiFi FEM已開始擴大市占率，並順利打入華為、TPLink等客戶的供應鏈。
由於卓勝微的產品主要採用SOI、GaAs等製程和材料，市場傳出，該公司的SOI主要在聯電生產，GaAs則在聯電旗下聯穎光電和三安代勞；其中，自9月起，卓勝微將成為聯穎光電最大客戶。
法人認為，卓勝微新推出的Wi-Fi FEM將有機會陸續提高在中國大陸的市占率，與Qorvo、Skyworks、立積等Wi-Fi FEM 供應商爭搶市場，但聯穎光電將可受惠。
謝謝你！
期待！
2020年聯穎受智慧型手機市場轉型以及中美貿易戰在地化生産持續影響，以及聲表濾波器、超高壓整合電源模組，5G通訊基站建設市場攻掠，業績創新高、整體營收大幅超越預期目標，2020年總營收為23億元營收，年增約41%。
聯穎本年度的發展著重於5G通訊、高速WiFi、光通訊，聲表濾波器丶以及氮化鎵功率元件的業務發展； 2020為5G元年， 全球將陸續建置超過50萬個基地站，聯穎的5G通訊元件已順利導入至全球基地站之領導廠商， 隨著5G的普及以及5G所衍生的新應用發酵， 成長期可望延續至2023年；
從4G到5G智慧型手機的轉換下，濾波器的需求勢必倍增，聯穎與策略客戶緊密合作已成功導入智慧型手機領導品牌， 預期今年聲表濾波器業務持續達成數倍的成長；
在氮化鎵功率元件方面，聯頴已轉換成6吋並大量生產，目前積極與聯電集團合作， 共同建置平台可為世界級一流設計公司，同時提供6吋與8吋的服務方案，上述產品預計在今年將逐季上量，對公司獲利將有明顯挹注。
聯頴研發的重心涵蓋5G通訊、大數據、物聯網所需要的關鍵技術；持續發展5G新市場所需的毫微米波(mmWave)技術丶 高功率GaN RF技術。行銷策略以高階應用技術為導向，加強基地站建設、 高速WiFi，以及5G所衍生的新應用技術可提升高單價産品線的營收比例，致力爭取高端客戶市場。
聯穎經營團隊衷心感謝股東的託付與鼓勵，開發高端產品、永續的發展與股東獲利始終是鞭策經營團隊向前最強動力。
1、第1季虧損主要是2萬片晶圓片報廢受損，現況已排除，產能順利進行。
2、先前裝設機器設備由富爸爸聯電支應(這大家都知道的訊息)，今年底前聯穎會自行購置機器設備，表示一定有獲利才有能力自行購買。
題外話，也許過不久會用增資方式向股東籌資，錢先準備好就對了。
3、有提到特斯拉先前訪廠，有在洽談合約訂單(但須由公司印證)
4、公司表示目前技術能力一直提升進步，產能到今年底都很好，強調明年展望會比今年更好。
因疫情關係今年無法參加，明年(111年)股東會一定精采，上開若有說明不對的地方，再請各位大大補充說明。
總之，股東會的內容都是正面的，印證恆豪大所說聯穎光電即將發光發熱！請拭目以待。
你可知道聯電剛成立的前身就是聯穎光電(這個廠房)，聯穎光電是當初聯電成立時的公司(4吋及6吋廠房)，
後來分割出來專門在砷化鎵及氮化鎵 (GaN)領域發展，是很純的35族晶圓代工，
也因為這樣子歷史過程，資深40年老員工都在聯穎光電裡面養老等退休，人數一堆很恐怖啊！
營業成本高得離譜，就是養這一批聯電最資深..資深..資深的老員工，並非產業不賺錢唷，懂了吧
聯電從股價10元反漲至50元，明年邁向100元大關，
肯定會積極安置這些超資深員工，讓聯穎光電的營收更亮麗，包裝上興櫃唷！！
至於股東會內容資訊，近期股價已反應一部分，避免有心人追高股價，就不再分享，
一句話，個人認為剛起漲而已^.^
有買的恭喜唷，抱著等明年爆發營收，亮麗再上興櫃！！
★第二季目前營收及訂單為何?
這個是比較需要關注的~~
請問各位先進，聯穎光電，為何這10年來，營業費用吃掉大部分的營業毛利？
商品跟管理層面是否有值得探討的地方？
營業費用是否會因為高營業額而降低？
是否真的能成為一間賺錢的公司？
謝謝！
聯電集團下 聯穎光電即將發光發熱?！請拭目以待！
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白話解析第三代半導體！一張表看懂通吃3大市場的殺手級應用商機 2021.06.17
第3代半導體是目前高科技領域最熱門的話題，不只中國想要這個技術，從歐洲、美國到台灣，所有人都在快速結盟，想在這個機會裡分一杯羹。為什麼第三代半導體這麼火熱？它的應用與商機在哪裡？
過去30年，台積電、聯電擅長製造的邏輯IC，基本上都是以矽做為材料。但矽也有一些弱點，如果用門做比喻，用矽做的半導體，就像是用木頭做的木門，輕輕一拉就能打開（從絕緣變成導電）。
用第2代或第3代化合物半導體就像是鐵門，甚至金庫的大門，需要很大的力氣，要施加大的電壓，才能讓半導體材料打開大門，讓電子通過。因此，要處理高電壓、高頻訊號，或是在訊號的轉換速度上，第3代半導體都優於傳統的矽。
目前，坊間所稱的第2代半導體，指的是砷化鎵、磷化銦這兩種半導體材料，「這是1980年代發展出來的技術。」 拓墣產業研究院分析師王尊民說，現在所稱的第3代半導體， 指的是氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC）這兩種材料 ，「這是2000年之後才開始投入市場的新技術」。
尤其，第3類半導體並不好做，以通訊晶片為例，要按照不同的通訊需求，選擇不同的材料，在原子等級的尺度下精確排好，難度有如給你各種不同形狀的石頭，堆出一座穩固的高塔，誰能用這些材料，生產出更省電、性能更好的電晶體，就是這個市場的勝利者。目前，第3代半導體有3個主要應用市場。
三代半導體應用1：高頻通訊如5G、衛星通訊
第一個應用，是將氮化鎵材料用來製作5G、高頻通訊的材料（簡稱RF GaN） 。過去20年，許多人想用成熟的矽製程，做出可以用在5G高頻通訊上的零組件。
最有名的是高通在2013年推出的RF 360計畫。當時市場上擔心，高通這項新技術推出之時，就是生產通訊用化合物半導體製造商的「死期」，穩懋股價還曾因此重挫。
結果，高通生產出來的矽晶片非常燙，完全沒辦法用在手機上；後來，連高通都回頭跟穩懋下單。業界人士觀察， 通訊會愈來愈往高頻發展，未來高頻通訊晶片都是化合物半導體的天下 ；王尊民觀察，這個領域也是化合物半導體製造毛利率最高的部分，像穩懋和宏捷科的毛利都在3∼4成。
第三代半導體應用2：低電壓的電源供應器
第2個市場，是用氮化鎵製造電源轉換器（簡稱Power GaN），這是目前最熱門的領域 。過去生產相關產品，最難的部分是取得碳化矽的基板，採訪時，陽明交通大學國際半導體產業學院院長張翼拿出一片碳化矽基板給我們看，這一片6吋寬的圓片，要價高達8萬元台幣。
但近幾年，市場上開始出現將氮化鎵堆疊在矽基板上的技術（GaN on Si）。這種技術大幅降低化合物半導體的成本，用在生產處理數百伏特的電壓轉換，可以做到又小又省電。目前市面上已經可以看到，原本便當大小的筆電變壓器，已經能做到只有餅乾大小，OPPO、聯想等公司，更積極要把這種技術內建在高階手機和筆電裡。
3月1日，野村證券發表題為「A GaN Changer」的產業報告，認為未來2~3年，第3代半導體將重塑全球消費性電源市場，取代用矽製作的IGBT電源管理晶片。野村證券報告預估，2023年，這個市場產值每年將以6成以上速度成長。張翼也認為，第3代半導體能源轉換效率能達到95%以上，一旦被大幅採用，「台灣能省下一座核能電廠的電」。
第三代半導體應用3：高電壓的汽車電源供應器
第3個市場則是碳化矽供電晶片（SiC） 。碳化矽材料的特殊之處在於，如果要轉換接近1000伏特以上的高電壓，就只有碳化矽能做到這樣的要求；換句話說，如果要用在高鐵上，用在轉換風力發電，或是推動大型的電動船、電動車，用碳化矽都能做得更有效率。
第3代半導體是未來各國搶占電動車、新能源，甚至國防、太空優勢，不能忽視的關鍵技術，誰在這個領域領先，誰就能在這個領域勝出。
為因應嚴重特殊傳染性肺炎影響，本公司停止召開原定110年6月4日股東常會；嗣經本公司於110年6月23日董事會決議，公告延期召開110年股東常會相關事宜如下：
一、股東會召開日期：110年7月6日下午1點30分整
二、股東會召開地點：新竹科學園區新竹縣創新一路10號
三、其他敘明事項：無。
聯穎光電股份有限公司 董事長 敬啟
最近台泥循環股東增資，1張能認股1.4張，看起來挺不錯，充滿高期望值。
聯穎光電也非常有機會讓股東用低價10元票面價來增資，擴充資本建全體質，未來是否會實現?！明年初?！
現在不買難道等宣布後在去搶貴鬆鬆的股票嗎???
上興櫃，屆時股價恐怕100元都買不到，看齊老大哥穩懋股價，也許爆衝到200元以上也不一定，
端看最近海運三雄，是否有感覺趨勢來檔都擋不住，
多元第三代半導體產品快速出貨，海嘯趨勢來擠破頭搶貨，高毛利的第三代半導體，非常可期待。
聯電集團下 聯穎光電即將發光發熱?！請拭目以待！
聯電積極投入GaN製程開發 佈局高效能電源功率元件市場 2020/05/25
晶圓代工廠近來積極佈局第三代半導體材料氮化鎵 (GaN)，除龍頭廠台積電 (2330-TW) 已提供 6 吋 GaN-on-Si(矽基氮化鎵) 晶圓代工服務外，世界先進 (5347-TW) GaN 製程也預計年底送樣，聯電 (2303-TW) 同樣積極投入 GaN 製程開發，攜手子公司聯穎佈局高效能電源功率元件市場。
聯電表示，GaN 製程開發是現有研發計畫中的重點項目之一，目前與轉投資公司砷化鎵 (GaAs) 晶圓代工廠聯穎合作，仍處於研發階段，初期將以 6 吋晶圓代工服務為目標，未來也會考慮邁向 8 吋代工。
聯穎是聯電持股 81.58% 子公司，為其新投資事業群的一員，提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務，終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地台、物聯網、國防航太、光纖通訊、光學雷達，及 3D 感測元件等。目前營運持續虧損，去年虧損 2.79 億元，今年首季則虧損 861 萬元。
目前包括台積電、漢磊投控 (3707-TW) 集團的晶圓代工廠漢磊科，6 吋 GaN-on-Si 晶圓代工製程均已量產；台積電今年 2 月也宣布結盟意法半導體，意法將採用台積電的 GaN 製程技術，生產氮化鎵產品，加速先進功率氮化鎵解決方案開發與上市，攜手搶攻電動車市場商機。
世界先進在 GaN 材料上已投資研發 4 年多，與設備材料廠 Kyma、及轉投資 GaN 矽基板廠 Qromis 攜手合作，著眼開發可做到 8 吋的新基底高功率氮化鎵技術 GaN-on-QST，今年底前將送樣客戶做產品驗證，初期主要瞄準電源相關應用。
穩懋步拉貨旺季，下半年動能看正向 6/28 12:36
穩懋(3105)將步入美系手機大客戶新品供應鏈拉貨旺季，加上下半年安卓陣營也將推出多款5G手機，法人預期，有望帶動穩懋手機PA、3D感測VCSEL拉貨力道升溫，整體下半年營運有望較上半年走升。
穩懋5月營收20.60億元，月增1.78%、年增3.78%，預估第2季營收低個位數成長，其中以手機PA拉貨需求最佳，預期稼動率有機會優於上一季，法人認為，由於第2季毛利率較佳的VCSEL還未大量拉貨，基礎建設相關產品出貨也較為平淡，對產品組合較為不利，毛利率預估達30%出頭(low-thirties)，並未隨稼動率提升而走揚，惟在費用控管下，預期本業仍有穩健表現。
展望後市，法人認為，第2季底通常是美系手機大客戶新品供應鏈拉貨旺季，加上美系客戶下半年新機有機會全數導入ToF(飛時測距)鏡頭、有助於VCSEL拉貨動能提升，另方面，下半年安卓陣營也將推出多款5G手機，有助於5G PA需求走揚，法人預期，穩懋下半年在手機PA、3D感測VCSEL拉貨力道升溫帶動下，整體下半年營運有望較上半年走升。
穩懋為化合物半導體晶圓代工龍頭，今年上半年雖然因為客戶結構改變營收動能較平淡，不過長期受惠應用面擴增，將有助於未來營運動能持續提升。
此外，穩懋十年前投入開發第三代半導體、GaN on SiC，其應用在5G基地台、衛星相關，近年逐漸邁入收成期，每年都有超過5成的年成長率，雖然目前營收佔比還較低，不過預期今年在5G基地台持續佈建，以及低軌道衛星覆蓋率增加，有助於該業務營收持續增溫。
漢磊去年虧錢，第一季也虧錢！！何以支撐股價??
聯穎光電屬於化合物半導體，聚焦砷化镓 (GaAs) 、氮化镓 (GaN)、碳化矽 (SiC) 等 lll-V 族化合物半導體材料發展趨勢與突破，錢爸爸聯電支持照顧下，前瞻趨勢與擁有技術，能創造更多商機與機會。
再在物聯網、無線通訊、車用電子及3D 感測等應用發展下，對於射頻、光電、電源管理等相關技術、元件及應用需求提升，將驅動功率電子及化合物半導體成長動能。根據最新市場報告指出，化合物半導體市場規模預計將以12% 年複合成長率。
聯電集團下 聯穎光電即將發光發熱?！請拭目以待！
莫非有管道可探知一二？第二季就看他表現了。
聯電集團下 聯穎光電即將發光發熱?！請拭目以待！
熱門股〉產能滿載轉盈在望 漢磊投控改寫歷史新高價 台北2021/06/19 12:33
漢磊投控 (3707-TW) 近來接單暢旺，產能滿載，營運轉盈在望，本周股價走勢強勁，拉出 4 根紅 K，週五 (18 日) 終場收 87.5 元，站穩所有均線改寫新高價，股價周漲幅達 24.8%。
漢磊投控旗下漢磊科受惠二極體及 MOSFET 等分離式元件需求大增，加上車用功率半導體接單暢旺，產能維持滿載，今年第一季每股虧損 0.06 元，虧損大幅收斂，法人看好漢磊投控今年營運可望轉盈。
在車用、綠能與節能產品需求增加下，帶動化合物半導體元件需求加溫，而漢磊投控旗下嘉晶為目前國內唯一一家量產 GaN 磊晶與 SiC 磊晶的供應商，而漢磊科今年也將全力擴大佈局 GaN 與 SiC 相關產品營運規模，佈局半導體節能與車用市場商機。
漢磊 4 吋 SiC 產線已批量生產，為滿足客戶需求，6 吋 SiC 產線也已建置完成，為首家擴增 SiC 產能的晶圓代工廠，相關車用電子元件開發及品質系統認證也相當順利。
漢磊投控 5 月營收 5.7 億元，月增 0.37%，年增 15.76%；累計前 5 月營收為 27.62 億元，年增 16.23%。
公司極可能已經一次打銷，所以讓第一季獲利不如預期，
第二季恢復正常後，毛利及淨利肯定爆衝，股價一路向上，
已經度過五月的低潮，該上車中實戶已經做好坐滿，
漢磊增資用63.9元，燙金聯穎光電上興櫃前，增資價格落在60~80元以上機率挺高。
身為股東的我，希望增資價落在50元以內，吃便宜豆腐最好。
聯電如何讓第三代半導體﹝聯穎光電﹞發光發熱，讓我們拭目以待！！
漢磊擬現增600萬股案，補充每股發行價格為63.9元等事宜
(3707)漢磊-公告本公司現金增資認股基準日等相關事宜(補充公告現金增資實際發行價格暨代收股款及專戶存儲價款機構)
1.董事會決議或公司決定日期: 110/06/21
2.發行股數:6,000,000股
3.每股面額:新台幣10元
4.發行總金額:新台幣60,000,000元
5.發行價格:每股新台幣63.9元
6.員工認股股數:依公司法第267條規定，保留發行新股總額10%計600,000股由本公司員工認購。
7.原股東認購比例:80%，計4,800,000股，由原股東按照認股基準日股東名簿記載之持股比例認購，每仟股可認購15.28983400股。
穩懋董事長說，長晶是第三代半導體戰略物資，但並未提到代工部分
www.bnext.com.tw/article/63388/gan-sic-winfundry-taiwan
聯電代工部分要能夠超前，良率、獲利要先跟上。
第一季有富爸爸加持下，仍然處於虧損，只能希望他能繼續努力。
2021.06.17|第三代半導體是什麼？車用、5G通訊、充電三方通吃
第3代半導體是目前高科技領域最熱門的話題，不只中國想要這個技術，從歐洲、美國到台灣，所有人都在快速結盟，想在這個機會裡分一杯羹。為什麼第三代半導體這麼火熱？它的應用與商機在哪裡？
過去30年，台積電、聯電擅長製造的邏輯IC，基本上都是以矽做為材料。但矽也有一些弱點，如果用門做比喻，用矽做的半導體，就像是用木頭做的木門，輕輕一拉就能打開（從絕緣變成導電）。
用第2代或第3代化合物半導體就像是鐵門，甚至金庫的大門，需要很大的力氣，要施加大的電壓，才能讓半導體材料打開大門，讓電子通過。因此，要處理高電壓、高頻訊號，或是在訊號的轉換速度上，第3代半導體都優於傳統的矽。
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目前，坊間所稱的第2代半導體，指的是砷化鎵、磷化銦這兩種半導體材料，「這是1980年代發展出來的技術。」 拓墣產業研究院分析師王尊民說，現在所稱的第3代半導體， 指的是氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC）這兩種材料 ，「這是2000年之後才開始投入市場的新技術」。
尤其，第3類半導體並不好做，以通訊晶片為例，要按照不同的通訊需求，選擇不同的材料，在原子等級的尺度下精確排好，難度有如給你各種不同形狀的石頭，堆出一座穩固的高塔，誰能用這些材料，生產出更省電、性能更好的電晶體，就是這個市場的勝利者。目前，第3代半導體有3個主要應用市場。
延伸閱讀：阿里巴巴達摩院公布10大趨勢觀察：第三代半導體應用大爆發、腦機接口突破生物極限
第三代半導體應用1：高頻通訊如5G、衛星通訊
第一個應用，是將氮化鎵材料用來製作5G、高頻通訊的材料（簡稱RF GaN） 。過去20年，許多人想用成熟的矽製程，做出可以用在5G高頻通訊上的零組件。
最有名的是高通在2013年推出的RF 360計畫。當時市場上擔心，高通這項新技術推出之時，就是生產通訊用化合物半導體製造商的「死期」，穩懋股價還曾因此重挫。
結果，高通生產出來的矽晶片非常燙，完全沒辦法用在手機上；後來，連高通都回頭跟穩懋下單。業界人士觀察， 通訊會愈來愈往高頻發展，未來高頻通訊晶片都是化合物半導體的天下 ；王尊民觀察，這個領域也是化合物半導體製造毛利率最高的部分，像穩懋和宏捷科的毛利都在3∼4成。
來源：財訊
延伸閱讀：5G帶動半導體新戰場，氮化鎵能當下一個材料寵兒嗎？要先克服兩大挑戰
第三代半導體應用2：低電壓的電源供應器
第2個市場，是用氮化鎵製造電源轉換器（簡稱Power GaN），這是目前最熱門的領域 。過去生產相關產品，最難的部分是取得碳化矽的基板，採訪時，陽明交通大學國際半導體產業學院院長張翼拿出一片碳化矽基板給我們看，這一片6吋寬的圓片，要價高達8萬元台幣。
但近幾年，市場上開始出現將氮化鎵堆疊在矽基板上的技術（GaN on Si）。這種技術大幅降低化合物半導體的成本，用在生產處理數百伏特的電壓轉換，可以做到又小又省電。目前市面上已經可以看到，原本便當大小的筆電變壓器，已經能做到只有餅乾大小，OPPO、聯想等公司，更積極要把這種技術內建在高階手機和筆電裡。
3月1日，野村證券發表題為「A GaN Changer」的產業報告，認為未來2~3年，第3代半導體將重塑全球消費性電源市場，取代用矽製作的IGBT電源管理晶片。野村證券報告預估，2023年，這個市場產值每年將以6成以上速度成長。張翼也認為，第3代半導體能源轉換效率能達到95%以上，一旦被大幅採用，「台灣能省下一座核能電廠的電」。
來源：財訊
第三代半導體應用3：高電壓的汽車電源供應器
第3個市場則是碳化矽供電晶片（SiC） 。碳化矽材料的特殊之處在於，如果要轉換接近1000伏特以上的高電壓，就只有碳化矽能做到這樣的要求；換句話說，如果要用在高鐵上，用在轉換風力發電，或是推動大型的電動船、電動車，用碳化矽都能做得更有效率。
有實質獲利才是王道
果真第一季不優~~~
只能期待第二季了，如果其他廠商良率起來
聯穎還是這樣，今年要獲利甚至打消虧損，就難了
110年Q1 虧損1.03億元 每股淨值 約在2.68元 EPS約為-0.568元
摘自 聯電2303 公開資訊觀測站 之財務報告 僅供參考
啊是怎麼了~~
即將爆發，敬請期待！
聯電集團下 聯穎光電即將發光發熱?！請拭目以待！
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獨家》聯電將由6家客戶出錢擴28奈米產能 2021/04/28 05:00
全球掀起晶片荒，繼晶圓代工龍頭廠台積電宣布在南京12吋廠擴增28奈米製程產能後，業界傳出聯電與國內外6家大咖客戶簽約合作投資產能，這是近年晶片產能缺，聯電首度採由客戶支付大筆預付款協助擴產，客戶保證取得產能的雙贏合作策略，預計2023年第2季量產，這也意味著晶圓代工產能將缺到2023年。
聯電計畫擴增28奈米產能，規劃今年資本支出15億美元，但此資本支出無法滿足客戶需求，聯電為了風險考量，與客戶洽談產能合作；業界新傳出，聯電規劃南科P6廠投資額高達千億元，採由客戶支付大筆預付款協助擴產，洽談結果，敲定6家大咖客戶付高額訂金取得產能，每家各約5千片月產能。以28奈米高介電層／金屬閘極（HK）製程1千片產能需資金1億美元估算，可能各約達5億美元。
聯電證實與客戶洽談產能投資的合作計畫，但不評論業界傳言，預計今天傍晚舉行法說，屆時將針對產能合作問題進行說明。台灣廠商則不回應與供應商相關問題。半導體業在產能吃緊之際，後段封測廠常出現由客戶出錢買部分機台設備專機專用，這波晶片缺，晶圓代工業除了出現購買機台設備給晶圓廠之外，也出現由客戶支付大筆預付款協助擴產。
業界指出，車用、電源管理IC等需求增多，帶動成熟製程產能供給不足，12吋以28奈米成熟製程產能最為嚴重不足，台積電擴產以現有廠房的南京廠最快，日前臨時董事會核准資本預算美金28.87億元（約新台幣793億9250萬元），將在南京廠建置28奈米的成熟製程產能，預計月產能4萬片，預計2022年下半年開始量產。
聯電28奈米製程近幾年來苦追台積電，目前生產良率拉到非常穩定，達9成以上，其中，最大客戶為三星旗下系統LSI的手機影像訊號處理器（ISP）投產最多，其他客戶包括聯發科、聯詠、瑞昱、奇景等。業界傳出，聯電與這幾家客戶合作投資產能。
最近資訊分享較不積極，主要是等5月底，員工增資股權出籠賣出後，再來分享資訊
避免股價漲高，便宜了那些虎視眈眈想賣的那些員工！！
說個故事，最近聯發科罕見宣佈16.2億元額度內買設備出租給力積電，掀開晶圓廠吃緊現況真貌，現在連IC設計龍頭也祭出買設備包產能對策，2021年晶圓供需顯然非常緊俏。
小弟預測未來聯電會大手筆購入近百億設備，讓聯穎光電大幅度生產未來一直一直一直供不應求的5G及車用產品
聯穎光電資本額不到20E，日後因該會大進補，
不賣+買，聯穎光電粉絲記得要抱緊，也許明年3~4月目標百元達標，
明年9~12月間目標168~198元，(配合公發或準備上興櫃)
未來的產能跟營收會用井噴的方式來回報各位投資人
此時投資數倍豐厚報酬，可行性非常高。
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過去 30 年，台積電、聯電擅長製造的邏輯 IC，基本上都是以矽為材料。但矽也有一些弱點，如果用門比喻，用矽做的半導體，就像是用木頭做的木門，輕輕一拉就能打開（從絕緣變成導電）。
用第二代或第三代化合物半導體就像是鐵門，甚至金庫的大門，需要很大的力氣，要施加大的電壓，才能讓半導體材料打開大門，讓電子通過。因此，要處理高電壓、高頻訊號，或是在訊號的轉換速度上，第三代半導體都優於傳統的矽。
目前，坊間所稱的第二代半導體，指的是砷化鎵、磷化銦這兩種半導體材料，「這是 1980 年代發展出來的技術。」拓墣產業研究院分析師王尊民說，現在所稱的第三代半導體，指的是氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC）這兩種材料，「這是 2000 年之後才開始投入市場的新技術」。
尤其，第 3 類半導體並不好做，以通訊晶片為例，要按照不同的通訊需求，選擇不同的材料，在原子等級的尺度下精確排好，難度有如給你各種不同形狀的石頭，堆出一座穩固的高塔，誰能用這些材料，生產出更省電、性能更好的電晶體，就是這個市場的勝利者。
目前，第三代半導體有 3 個主要應用市場。
第三代半導體應用 1》高頻通訊如 5G、衛星通訊
第 1，是將氮化鎵材料用來製作 5G、高頻通訊的材料（簡稱 RF GaN）。過去 20 年，許多人想用成熟的矽製程，做出可以用在 5G 高頻通訊上的零組件。
最有名的是高通在 2013 年推出的 RF 360 計畫。當時，市場上的擔心，高通這項新技術推出之時，就是生產通訊用化合物半導體製造商的「死期」，穩懋股價還曾因此重挫。
結果，高通生產出來的矽晶片非常燙，完全沒辦法用在手機；後來，連高通都回頭跟穩懋下單。業界人士觀察，通訊會愈來愈往高頻發展，未來高頻通訊晶片都是化合物半導體的天下，王尊民觀察，這個領域也是化合物半導體製造毛利率最高的部分，像穩懋和宏捷科的毛利都在三至四成。
第三代半導體應用 2》低電壓的電源供應器
第 2 個市場，是用氮化鎵製造電源轉換器（簡稱 Power GaN），這是目前最熱門的領域。過去生產相關產品，最難的部分是取得碳化矽的基板，記者採訪時，陽明交通大學國際半導體產業學院院長張翼拿出一片碳化矽基板給大家看，這一片 6 吋寬的圓片，要價高達 8 萬元台幣。
但近幾年，市場開始出現將氮化鎵堆疊在矽基板上的技術（GaN on Si）。這種技術大幅降低化合物半導體成本，用在生產處理數百伏特的電壓轉換，可以做到又小又省電。目前市面上已經可以看到，原本便當大小的筆電變壓器，已經能做到只有餅乾大小，OPPO、聯想等公司，更積極要把這種技術內建在高階手機和筆電裡。
3 月 1 日，野村證券發表題為「A GaN Changer」的產業報告，認為未來 2~3 年，第三代半導體將重塑全球消費性電源市場，取代用矽製作的 IGBT 電源管理晶片。野村證券報告預估，2023 年，這個市場產值每年將以六成以上速度成長。張翼也認為，第三代半導體能源轉換效率能達到 95% 以上，一旦被大幅採用，「台灣能省下一座核能電廠的電」。
第三代半導體應用 3》高電壓的汽車電源供應器
第 3 個市場則是碳化矽供電晶片（SiC）。碳化矽材料的特殊之處在於，如果要轉換接近 1,000 伏特以上的高電壓，就只有碳化矽能達到要求；換句話說，如果要用在高鐵，轉換風力發電，或是推動大型的電動船、電動車，碳化矽都能更有效率。
第三代半導體是未來各國搶占電動車、新能源，甚至國防、太空優勢，不能忽視的關鍵技術，誰在這個領域領先，誰就能在這個領域勝出。
只能看長其發展以及良率的提升
電動車備高功率，高頻，高流，光達等等，中美互相較勁，
盡國家力量全力補助，對台廠是大福音。
目前最夯應用爆增是GaN,第三代半導體題材，聯穎光電爆發中
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鄉關新聞
南韓政府2021年4月1日發佈了先進功率半導體（advanced power semiconductor）研發和產能提升計畫，用於人工智慧系統、電動汽車等的功率轉換、穩定、控制等，以及5G通訊系統和可再生能源發電的逆變器（inverter）中。韓國國內市場規模約為20億美元，然而由於缺乏專利和技術，90%以上需求仰賴進口。
韓國政府計畫到2025年提升本土競爭力到全球水準，到時韓國將至少有5種先進功率半導體商業產品。韓國政府將專注於SiC（碳化矽）、GaN（氮化鎵）和Ga2O3（氧化鎵）三種材料的應用技術，以克服矽材料的限制，並協助企業在材料和晶圓方面的研發工作。
尤其，隨著透明的導電氧化物──氧化鎵（Ga2O3）出現，還有一個不錯的特性，藉由摻雜（Doping）流程可以向其添加電荷載流子，增加其導電性。氧化鎵可以採用現存已建立的商業微影機和加工技術，以離子注入的標準製程，以及在外延生長過程中沉積的雜質來添加摻雜劑。氧化鎵的另一個優點，就是在大型晶圓之結晶的氧化鎵實際上非常容易製造。
韓國政府還計畫協助功率IC設計，開發高密度、高性能的先進功率半導體產品，同時與晶圓廠一起設立6至8吋的製程，擴大相關的晶圓服務。
其實，2021年2月1日韓國政府就宣佈，2021年將投資2500億韓元（約2.2億美元），未來10年將投資2.5兆韓元（約22億美元），加快功率半導體、先進感測器和AI晶片技術等系統級晶片技術的研發。
首先，在今年(2021)將選擇4家無晶圓廠公司（fabless），目標達到1000億韓元（約8900萬美元）的銷售額，並在評估後再進一步協助公司開發有潛力的產品。
功率半導體技術相關的研發方面，將集中在SiC和GaN半導體上，其特點是比現有的矽晶片更加耐用和高效。在感測器研發、製造和建立測試平台方面，政府將投入5000億韓元（約4.4億美元）進行初步可行性調查。
在AI晶片研發方面，下世代AI半導體技術研發的年度預算從831億韓元（約7400萬美元）增加到1223億韓元（約1億美元）。正在進行的可行性研究完成後，將啟動記憶體處理器（Processor-in-Memory，PIM）晶片研發專案。(710字；圖1)