晶圓代工廠近來積極佈局第三代半導體材料氮化鎵 (GaN)，除龍頭廠台積電 (2330-TW) 已提供 6 吋 GaN-on-Si(矽基氮化鎵) 晶圓代工服務外，世界先進 (5347-TW) GaN 製程也預計年底送樣，聯電 (2303-TW) 同樣積極投入 GaN 製程開發，攜手子公司聯穎佈局高效能電源功率元件市場。
聯電表示，GaN 製程開發是現有研發計畫中的重點項目之一，目前與轉投資公司砷化鎵 (GaAs) 晶圓代工廠聯穎合作，仍處於研發階段，初期將以 6 吋晶圓代工服務為目標，未來也會考慮邁向 8 吋代工。
聯穎光電是聯電持股 81.58% 子公司，為其新投資事業群的一員，提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務，終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地台、物聯網、國防航太、光纖通訊、光學雷達，及 3D 感測元件等。目前營運持續虧損，去年虧損 2.79 億元，今年首季則虧損 861 萬元。
20年純熟矽基CMOS 六吋代工經驗 ; 身為聯電集團新投資事業群的一員,更承襲了聯電多年在代工產業的製程心得, 致力為砷化鎵微波及射頻積體電路服務產業另闢新氣象。
聯穎擁有最先端的砷化鎵製程技術，為全球積體電路設計公司及整合元件的製造廠提供專業、彈性、具競爭力的晶圓代工服務。本著持續創新原則，擁有紮實技術的聯穎研發團隊將持續推出最尖端的III-V族技術 ; 聯穎亦將秉持聯電一流的製造能力與務實、效率的管理精神，為客戶創造最大價值。
提供的技術範圍從砷化鎵新一代HBT技術、0.15微米 pHEMT技術、氮化鎵高功率元件到SAW 濾波器; 並跨足光電元件製造，包含砷化鎵基底，磷化銦基底之檢光二極體及消費性電子應用之雷射光電元件。聯穎完整的產品線可廣泛應用於智慧型手機之無線行動通訊、無線區域網路、微波無線大型基地站、全球定位系統、無線微型基地台、有線電視、物聯網、國防航太、光纖通訊、光學雷達，以及 3D感測元件等領域。
聯穎提供III-V族及CMOS specialty業界最完整廣泛產品組合的 6 吋晶圓代工服務。我們將持續投入化合物半導體新技術的研發，致力成為無線通訊、消費性光電技術及綠能電子的先驅領導者，以達成協助客戶創造最大價值的終極目標。
2021/11/14 14:02:20鉅亨網記者林薏茹 台北
聯電 (2303-TW) 近年來攜手持股約 8 成的子公司聯穎光電，積極投入第三代半導體製程開發，受惠 5G、車用等應用需求暢旺，聯穎今年以來傳產能均維持滿載，第三季獲利更較第二季大增 5 倍，帶動營運轉盈；市場也傳聯穎擬現增擴產，明年產能可望翻倍跳增。
聯穎光電今年上半年累計虧損約 6270 萬元，其中第二季獲利約 4000 萬元，翻開聯電財報，前三季累計純益已達 1.88 億元，相當於第三季單季就大賺超過 2.5 億元，純益季增 5.23 倍，獲利能力大幅提升。
聯穎為聯電新投資事業群的一員，成立於 2010 年，主要提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務，生產 CMOS 製程的二極體、MOSFET、及濾波器等，終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地台、國防航太、光纖通訊、光學雷達及 3D 感測元件等。
聯穎光電 6 吋廠原先呈現虧損，產能利用率也不佳，但業界傳出，去年下半年以來，晶圓代工市況轉佳，在客戶需求大增下，月產能 4 萬多片持續爆滿，帶動營運轉盈；不過，今年第一季因打消一批貨品認列虧損，導致營運再度轉虧。
市場也傳出，由於產能持續爆滿，加上看好後市 5G、電動車等應用對半導體元件的需求，聯穎光電擬辦理現增籌資，擴增產能，明年產能可望較今年翻倍成長。
聯電近年來積極布局第三代半導體，未來聯穎將是主要生產基地，且為進行產業鏈前後段整合，聯電日前也與封測廠頎邦 (6147-TW) 換股結盟，將產線延伸至氮化鎵晶圓凸塊及晶圓級晶片尺寸封裝 (WLCSP) 等代工市場。
聯電集團下 聯穎光電即將發光發熱?！請拭目以待！
相關新聞 漢磊 擴增SiC產能 漢磊、強茂權證拉風
新能源車與第三代半導體題材雙雙發酵，加上全訊（5222）以每股104.49元承銷價掛牌後，股價向上噴出，相關族群展開比價行情，漢磊（3707）及強茂（2481）獲法人積極卡位演出軋空大戲。
漢磊作為國內唯一同時具備碳化矽（SiC）及氮化鎵（GaN）生產能力的廠商，受惠車用半導體和相關功率元件的需求量增長，產能滿載至年底。
漢磊自結9月稅後盈餘達4,300萬元、每股盈餘0.13元，不但較去年同期轉虧為盈，且單月賺贏今年上半年。三大法人10月以來累計買超漢磊1.78萬張股票，提振股價單月漲幅近三成，10月29日最高更來到155.5元，締造歷史新高，資券比超過五成，下檔相對有撐。
強茂受惠消費性電子與車用需求成長，二極體出貨看增，加上轉單效應發酵，訂單能見度已達年底，累計上半年獲利8.55億元、每股盈餘2.57元，直逼去年全年2.7元。
法人認為，強茂產品布局效益顯現，下半年業績將延續成長趨勢，全年每股盈餘挑戰近年新高。三大法人10月買超2,007張，股價重返百元俱樂部，10月29日盤中最高來到116.5元，終場收112.5元，資券比再度衝破六成，軋空氣焰旺盛。
漢磊（3707）公告自結獲利，9月合併營收6.59億元，歸屬母公司稅後淨利0.43億元，每股淨利0.13元，累計第三季合併營收19.35億元，歸屬母公司稅後淨利1.10億元，與去年同期相較營運由虧轉盈且獲利持續好轉，每股淨利0.24元。
漢磊氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等第三代化合物半導體產能逐步開出，為台灣第一家率先擴增SiC產能的晶圓代工廠，轉投資嘉晶是國內唯一擁有量產GaN磊晶與SiC磊晶的供應商。漢磊股價29日以152.5元作收，股價續創波段新高，短線不跌破5日線可望續創新高。
先進大所說穫利估計可達7元以上，實現機率極大，值得期待，收成正果。
讓人更期待是增資後降低手中持股成本，聯穎光電興櫃後，將享受飆漲喜悅。
第三季猜是賺破3.0E以上，打消前季虧損及報廢晶圓導致獲利相互抵消。
明年搭配大幅擴廠動能下，每月淨賺1.0~1.2E起跳，營收將逐步往上大步邁進，此時才屬聯穎光電真正的主升段行情。
主升段時期會規劃機台給GaN on SiC 全力拉動第三代半導體產銷動能及引爆股市話題，產能滿載下極可能繼續調漲報價推升獲利，目前觀察聯穎光電SiC開發是GaN on Si 為主。
眾投資大 可詳觀力智科技這檔股票，去年 2020/10月時的70元漲至今2021/11月 700元來看，因缺貨週期拉長及報價續漲價再加上籌碼問定所致，小弟依舊有持股力智，傳說要拉到1000元，打算800元下車。這樣的榮景有機會在聯穎光電發生，不排除跟著市場上缺貨及報價續漲，提供強勁營收動能。
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相關新聞 先探／GaN化合物半導體掀掛牌熱 文／林麗雪
蘋果GaN快充宣布開賣的同時，全球GaN快充ＩＣ設計龍頭納微及國內GaN射頻元件ＩＣ設計廠全訊也上市，宣告產業正式進入黃金投資期。
國內第三代半導體題材炒得火熱，碳化矽（SiC）概念股漲翻天，但在第三代半導體扮演更關鍵角色的氮化鎵（GaN）族群，一直是全球科技論壇上被探討最多的技術商機，但今年在台股市場上，卻未受到太多的關注。隨著全球GaN快充ＩＣ龍頭大廠納微半導體（Navitas）日前正式在那斯達克掛牌上市，國內首檔跨足低軌道衛星及５Ｇ毫米波基地台GaN PA元件的ＩＣ設計廠全訊也正式於十月二十五日掛牌上市，全球GaN化合物半導體掀掛牌熱，投資陣容愈來愈龐大，也預告GaN半導體將繼碳化矽之後，進入黃金投資年代。
納微、蘋果引爆快充商機
成立於二○一四年的納微半導體，是全球第一家GaN功率ＩＣ公司，也是到目前為止，全球GaN IC晶片出貨量最多的公司，據統計，至今年十月，納微已出貨三千萬多顆的GaNFast功率晶片，這些晶片且沒有出現任何故障報告，包括戴爾、亞馬遜、小米、聯想、LG、Anker、Belkin等主要製造商生產的快速充電器設計，都出自納微。
而就在納微十月二十日於那斯達克正式掛牌上市的前一天，甫舉行完特別活動發表會的蘋果，在發表會後亦在官網悄悄上架了一款140W USB-C電源轉接器，根據The Verge報導，此為蘋果首款上架開賣的GaN充電器，採用的亦是納微的設計，蘋果官網並建議，將這款充電器與甫發表的十六吋MacBook Pro搭配使用，以充分發揮快速充電功能，大約三十分鐘即可從○％充電至五○％。
自從去年蘋果發布iPhone 12不再免費搭載5W的豆腐頭充電器之後，市場即在臆測蘋果將加速推出GaN快充，然一直是只聞樓梯響，不見人下來。鴨子划水多年，如今終見到蘋果GaN快充產品上市，勢必加速推動各項消費性電子產品的快充滲透率，明年商機爆發已指日可待，TrendForce預估，隨著成本下降，預估至二○二五年GaN在整體快充領域的市場滲透率將達到五二％。
事實上，根據納微半導體公布的公司發展歷程顯示，早在二○一八年，納微就開發出全世界最小的65W USB-PD快充產品，台積電則在二○一八年配合加速進入GaN快充的量產，由於GaN快充的磊晶難度高，良率亦不好控制，蘋果若要推出，勢必要有相對應的供應鏈才足以供應，據了解，除台積電外，蘋果在GaN快充的磊晶供應廠即是富采旗下的晶成半導體，將是納微掛牌後，加速在各項快充產品導入後的最大受惠者。
EPS=1.36元,如果以此為標準,明年至少賺5.44元!明年再觀察第四季財報來估可能更準!
第85頁
聯穎本期獲利188,554千元。第三季是大賺
以股本184,464,380股計算，等於每股賺了一元多。
110.9.30日止聯電持有80.88%，年初持有81.40%，
本年度漲幅不錯，聯電也有陸續釋出一些。
可以等所有相關題材公司都出來大家比較一下
變成是聯穎的比較對象
比較對象越高對他也越有利
聯穎明年預估賺7元以上應可達陣，興櫃後加上穫利可觀，股價希望如恆豪大所言，直達300元以上，建議網友
盡早投資入場買門票，若跌繼續加碼攤平成本，第三代半導體材料趨勢明確，需求越來越大，股價反映也會越
來越高~聯穎加油
今10/29 Wolfspeed (科銳)單日大漲30%以上，Rohm STM ON NXPI 皆都創下新高價，可喜可賀阿，對聯穎加分甚多！！
聯穎光電營收爆發力十足，興櫃後股價應有機會與采鈺看齊，小弟目標價興櫃時期甜蜜點300元，上櫃後甜蜜點450元。
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蘋果、電動車採用 加速第三代半導體快充滲透率
期蘋果（Apple）發佈了用於全新MacBook Pro的140W USB-C電源適配器，並首次採用氮化鎵（GaN）技術，顯示出百瓦級大功率快充產品進入成長期，加速第三代半導體消費應用的發展擴張。根據TrendForce研究指出，在GaN功率電晶體價格不斷下降（目前已逼近約1美元），以及技術方案愈趨成熟的態勢下，預估至2025年GaN在整體快充領域的市場滲透率將達到52%。
TrendForce進一步表示，從目前快充市場功率規格來看，2020年GaN快充市場以55W~65W為主流功率段，約占GaN元件銷售市占率72%，其中又以65W為主流。而百瓦級大功率產品，2020年市占率僅約8%，但市場前景備受期待，越來越多廠商陸續推出大功率快充產品，以應對消費者日益增加的用電需求，目前最高功率已達140W。
其中，在百瓦級大功率快充產品領域內，GaN技術市場滲透率已高達62%，主要由納微半導體（Navitas）與英諾賽科（Innoscience）供應，其中納微半導體銷售市占率超7成，已成功應用於倍思、聯想、閃極等廠商旗下產品。另外，為了增加使用效率及縮減體積，功率因數修正電路（PFC，Power Factor Correction）搭半橋諧振（LLC）共振式轉換器的拓撲結構已成為百瓦級大功率快充主流方案，由碳化矽（SiC）二極體搭配GaN開關管，以提高PFC級開關頻率，進而使得GaN+SiC寬能隙半導體組合方案迅速被各大廠商採納。
對此，倍思於2020年推出全球首款120W GaN（納微半導體供應）+SiC（APS供應）快充產品，取得市場巨大反饋，泰科天潤、美浦森、安森美等SiC元件廠也陸續達成在Power Delivery快充領域的大量出貨。值得注意的是，汽車市場的快充輸出介面逐漸成為標配，在大功率車充市場正逐漸興起的趨勢下，未來數位產品能耗與電池容量限制將再推升第三代半導體GaN與SiC的大規模應用。
恆豪大早，據本人的了解，第三代半導體的需求旺盛，5G及車用將大量採用碳化矽せ氮化鎵，聯
穎是目前國內技術及良率最高的廠商，
聯穎的穫利倍數贏過漢磊，九月辦理公發後股價會飆漲，因為與漢磊比較聯穎最少應站上150元才對，聯穎今年下半年產量滿載，今年估
穫利2~3元，明年穫利估計7元起跳，持有聯穎的投資人要抱牢，抱至第三代半導體大放異彩時(約2~3年，股價會讓你想像不到的甜美......。
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上面是9月16日PO文
聯穎今年賺2.5元應沒問題，與漢磊比價聯穎會值什麼價？傳聞聯穎將辦理增資，增資價落在150元上下，那麼股價沒拉上170元投資人會買單嗎？
聯穎目前的產能明年要賺7元以上應該是可達陣，明年Q1可望公發申上興櫃，那麼本人估計聯穎股價就很有想像空間.......續抱至上興櫃，夢想
股價上250元甜美價
可知光第三季就賺1.36元
110年賺3元很有機會達成
110年Q1虧損103,024仟元，EPS -0.558元
110年Q2虧損62,709仟,元，EPS -0.34元
110年Q3獲利188,554仟元，EPS 1.02元
已彌補上半年虧損,加上第三季亮眼財報,110年獲利有機會賺3元
111年獲利7~10元絶對有機會
有聯電集團加持,聯穎光電真的要發光發熱了,值得期待。
搶攻化合物半導體市場 四大陣營整軍備戰 2021-10-18 工商時報 涂志豪
隨著歐盟及美國在政策上加速電動車轉型，加上能源轉換需求及5G通訊等終端應用快速增長，氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等寬能隙材料的第三代化合物半導體市場進入成長爆發期，包括台積電、聯電、中美晶、漢民等四大陣營早已布局多年且蓄勢待發，全力搶攻GaN及SiC龐大晶圓代工商機。
台積電早在2015年就已著手布建矽基氮化鎵（GaN on Si）技術及產能，近年已進入量產階段，除了與意法半導體合作生產車用GaN功率元件與IC，包括Navitas及GaN Systems亦在台積電投片生產100V及650V高壓功率元件。台積電今年已投入第二代GaN增強型高電子移動率電晶體（E-HEMT）量產，100V空乏型高電子移動率電晶體（D-HEMT）進入試產，並打進5G基地台模式供應鏈。
台積電目前有將近20台MOCVD有機氣相層機投入GaN量產，明年預計再增加10台設備擴產。而台積電轉投資世界先進近幾年在8吋GaN on Si研發順利進行，今年底將開始試產送樣，進行產品設計客戶超過10家，明年可望進入量產階段，業界傳出已爭取到國際IDM大廠訂單。
聯電將旗下6吋廠作價給轉投資的聯穎光電，投入功率元件及砷化鎵（GaAs）晶圓代工，而聯電目前著手進行GaN on Si技術開發，未來聯穎會是主要生產基地，且未來會考慮提供8吋晶圓代工。相較於其它陣營，聯電重視生產鏈前後段整合，日前與頎邦換股結盟，將生產線延伸到GaN晶圓凸塊及晶圓級晶片尺寸封裝（WLCSP）等代工市場。
中美晶集團在GaN及SiC領域著重上下游垂直整合，環球晶6吋SiC磊晶基板年底月產能可達5,000片，6吋GaN on Si磊晶基板已開出每月2,000片產能，難度最高的4吋GaN on SiC磊晶基板已小量出貨，6吋產能將在明年開出。中美晶轉投資宏捷科扮演晶圓代工要角，已投入GaN on Si及GaN on SiC技術開發及產能布建。至於朋程則投入SiC MOSFET功率元件設計，明年下半年可望延伸產品線到電動車應用。
漢民集團旗下漢磊及嘉晶在GaN及SiC布局多年有成，頻藉與國際IDM廠多年合作關係，近年來已陸續完成產能布建並進入量產。漢磊與特定客戶合作開發0.5微米的30V∼350V電壓GaN MOSFET及100V以下電壓GaN E-HEMT製程已進入量產，4吋SiC蕭特基二極體及SiC MOSFET進入量產，6吋SiC晶圓代工將在明年開始量產。嘉晶則是國內唯一擁有量產GaN與SiC磊晶基板的供應商。
(2303)聯電-本公司召開2021年第三季法人說明會
1.召開法人說明會之日期：110/10/27
2.召開法人說明會之時間：17 時 00 分
3.召開法人說明會之地點：線上法說會
4.法人說明會擇要訊息：本公司2021年第三季財務暨營運報告。
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「以前因市場差，一堆放棄去找其他工作的人，現在都回流了…」搶第三代半導體商機，台廠誰穩操勝算？
money.udn.com/money/story/5612/5797126
而聚焦成熟製程的聯電，為了衝刺氮化鎵領域，近日更宣布布局充電應用、投資封測廠頎邦，同時也找來長庚大學教授邱顯欽坐鎮，深化在射頻的碳化矽基板上長氮化鎵技術。邱顯欽表示，「聯電現在有很多既有的RF-SOI（射頻絕緣上覆矽）客戶，再加上聯穎有聯電的6吋廠支撐，最快明後年可以看見成果。」
因本文由今周刊授權刊載，未經同意禁止轉載，擷取精彩片段
期待12月初公司舉辦大型法說能替聯穎光電帶來勁爆的消息！！
聯電集團下 聯穎光電即將發光發熱?！請拭目以待！
台日半導體製程技術與運用研討會 線上舉辦10/15(五)14:00~16:30
隨著5G、人工智慧物聯網、電動車…等應用領域崛起，加上COVID-19疫情使得全球半導體新興製程技術以外，化合物半導體材料因具備高頻、高電壓、散熱佳、高能源轉換率…等特點，近來亦成為國際半導體大廠競合焦點。
本次活動邀請日本半導體專家Asaka Engineering 淺香尚夫代表針對在半導體CVD製程技術上的真空技術進行分享，以及日本筑波大學 岩室憲幸教授針對化合物半導體應用在電動車之研發現況與未來趨勢進行詳細說明；台灣業界專家方面則邀請到聯穎光電 林嘉孚技術長帶來化合物半導體在未來無線通信中的關鍵技術，盼本次研討會帶給與會來賓滿滿的收穫！歡迎各位先進踴躍參加！
指導單位：經濟部工業局
主辦單位：經濟部工業局智慧電子產業計畫推動辦公室
協辦單位：社團法人台灣電子設備協會
活動時間：2021年10月15日(五) 14:00~16:30
活動形式：線上舉辦
使用軟體： Cisco Webex
即將公發申請上興櫃せ掛牌興櫃價落在150元(市場消息)，有聯電大財團加持，以上集各項評估做參考
穩盛材料爆發力更佳驚人，資本額目前不超過3E，基因流著大黑馬千元血統。
聯電集團下 聯穎光電即將發光發熱?！請拭目以待！
台灣第三代半導體SIC和GaN相關供應鏈
SIC基板 –
環球晶、
穩晟材料(大股東矽力、中砂，4吋年產能7200片)
盛新材料(太極、廣運、4吋年產能6000片)
磊晶 --
環球晶、嘉晶、全新、英特磊
晶圓代工 --
聯穎光電、穩懋、宏捷科、茂矽、漢磊、晶成半導體、台積電、世界先進…等
漢磊法人估計今年最多賺1元以下，聯穎估計下半年每月已虧轉盈，今年估計2.5元~3元，穩晟
上半年虧1.8元，全年虧多少？？，以上三家第三代半導體材料廠，聯穎勝出較優，建議持有聯穎
小股民，堅持抱牢~放至上市，依目前的成交130元，肯定還有2~3倍的穫利空間，千萬不要輕易被洗掉......。
聯穎產能暴滿
單月賺8000萬以上
EPS0.45元
第三代半導體材料題材
聯穎擴大產能台灣第一大
聯穎這兩年要賺進一個股本非難事
股價這兩天用飆的
聯穎的量價齊揚真是件好事
至少先跟上漢磊了~~
穎是目前國內技術及良率最高的廠商，
聯穎的穫利倍數贏過漢磊，九月辦理公發後股價會飆漲，因為與漢磊比較聯穎最少應站上150元才對，聯穎今年下半年產量滿載，今年估
穫利2~3元，明年穫利估計7元起跳，持有聯穎的投資人要抱牢，抱至第三代半導體大放異彩時(約2~3年，股價會讓你想像不到的甜美......。
以下是小弟的推測
聯穎光電〝保守〞H2 賺3.2元(6.0E)以上，扣除上半年因設備汙染已實現虧損，預計2021全年EPS 2.7~3.5元間，預期2022年EPS 衝上 10.0~13.0元間(未考慮本次現增稀釋股權)。
小弟再推測，促使提早回收登錄股條全面換票乃配合現金增資可採無實體方式發行新股，公司需資金提高淨值，更重要需籌措擴廠資金，加速第三代半導體的產線。
如能近期迅速申請公開發行，真是高招阿！
因聯穎光電高層需要資金去認購現增，公發後價格易漲難跌，高層能賣部分持股套換現金，等待現增才能認好認滿。
可以見得，現金增資時間急迫，不等人。
申請公發，約15~20日曆天生效，生效後次月 10 日以前需向指定資訊申報網站傳輸資訊，視為已依規定完成公告申報。
包含每月營業額、每月資金貸放金額、衍生性商品交易資料、Q1~Q3財報、半年度財務報告、年度財務報告、股權、質權變動...等等
增資後淨值回升10.0元以上，下一步就是送興櫃了！！
第三代半導體蓬勃發展，可精彩了！
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若登入興櫃應該會比漢磊高，漢磊法人估今年頂多賺1元，那麼聯穎賺2.5元股價應該會有150元吧
...........加油
岳岳大真是高手高手高高手，眼光看特別遠！
這問題尋求 聯穎董事長總經理或富爸爸聯電董事高層絕對也很難回答你，
還沒經歷學爬或走路，就要知道甚麼時候可以跑步帶殺聲衝刺，我也醉了。
聯穎光電公發後，股價接近200元，何時能興櫃買賣我猜岳大你不會再來問了，因為手上股票已經被洗掉了。^^
聯電集團下 聯穎光電即將發光發熱?！請拭目以待！
看來第三季結算之後有獲利
現增-->公發-->興櫃
劇本是這樣嗎?
股東注意信箱，開始換發無實體了。
聯電集團下 聯穎光電即將發光發熱?！請拭目以待！
劉揚偉：第三代半導體 新護國神山
鴻海（2317）董事長劉揚偉昨（6）日表示，電動車（EV）對第三代半導體的需求遠大於供給，這是台灣要發展第三代半導體的絕佳機會，如果能打造電動車生態系統，並帶動第三代半導體供應鏈發展，可望為台灣打造下一座護國神山。
鴻海在今年8月宣布斥資25.2億元買下旺宏6吋廠，用來開發與生產第三代半導體，跨足碳化矽（SiC）功率元件研發及製造。劉揚偉並透露，鴻海買旺宏6吋廠，就是要解決電動車遭遇到充電時間太長、續航力不夠、價格比油車貴等三大問題。
SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸與劉揚偉昨天聯袂出席「領袖對談」座談會，暢談台灣在第三代半導體的贏者策略，為SEMICON Taiwan 2021國際半導體展線上論壇揭開序幕。
劉揚偉說，台灣半導體生態鏈完整，但這是產品的生態鏈，台灣在資通訊（ICT）產業鏈相當完整，但是在電動車產業還不齊全。因此，台灣必須先打造完整的電動車產業鏈，這樣自然可以帶動第三代半導體零組件的產業鏈，然後供應給電動車系統。這也是何以鴻海要協助打造MIH平台，希望透過MIH平台，來打造台灣電動車生態鏈。
劉揚偉指出，一部電動車需用使用到60顆碳化矽（SiC）元件，一片6吋晶圓卻僅能生產不到500顆SiC，約等於只能提供八輛電動車所需，可以看出需求遠大於供給，這將是台灣絕佳的機會，如果能把以矽為基礎的半導體經驗複製到第三代半導體，台灣就可多一座護國神山。
劉揚偉分析，電動車的成本約30%到40%是在電池，另有30%與半導體相關，而半導體中又與功率元件有關，未來適合解決現階段電動車充電時間太長、續航力不夠、價格比油車貴等三大問題的半導體技術是什麼？「我們發現，SiC就是未來的解決方案，」因此，鴻海買下旺宏6吋廠。
他指出，鴻海透過新投資旺宏6吋廠，把這座廠轉做SiC，除了以研發為主，也可以小量生產，因為這座6吋廠每月產能只有1.5萬片，顯然不夠，要大量生產則必須透過其他方式來做。
目前鴻海已擁有夏普8吋廠，之前間接投資馬來西亞8吋廠，未來將瞄準功率元件、 射頻元件與CIS應用相關的半導體，透過產能準備，鴻海讓客戶不再有產能缺乏的問題，未來也將與許多家世界級半導體公司合作，將適時宣布合作案。在半導體先進技術方面，鴻海研究院也成立半導體研究所。
提到聯穎很多次
也搭上這次聯電投資頎邦議題,做了不少討論
先進大資訊領先，與小弟我預測第三季賺1.0元以上非常符合，
營收陸續公佈，聯穎光電預測年底前站上120.0元
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〈聯電頎邦結盟〉雙方攜手打群架 深化第三代半導體佈局
晶圓代工廠聯電 (2303-TW) 及封測廠頎邦 (6147-TW) 今 (3) 日宣布雙方將透過換股，深化上下游合作，交易完成後，聯電將持股頎邦約 9%，除未來將有業外收益入帳，也將與頎邦在第三代半導體領域上合作，聯電強調，「第三代半導體上一定不會缺席」。
聯電與頎邦多年來在驅動 IC 領域就密切合作，雙方客戶重疊性高。聯電財務長劉啟東表示，未來將在驅動 IC 領域，整合前、後段製程技術，往更高頻、更低功耗等方向邁進，讓客戶能有更完整的配套技術，也使聯電中後段生態系能更完整。
除在驅動 IC 領域合作外，聯電近年也積極投入開發化合物半導體氮化鎵 (GaN) 功率元件與射頻元件製程，鎖定高效電源功率元件及 5G 射頻元件；頎邦則在電源功率元件及射頻元件封測市場經營多年，封測技術也已量產於砷化鉀 (GaAs)、碳化矽 (SiC)、氮化鎵 (GaN) 等化合物晶圓。
雙方換股合作後，聯電將成為頎邦最大單一股東，也將透過與頎邦的上下游整合，擴大在第三代半導體領域的布局。
聯電近年來積極投入氮化鎵製程開發，攜手持股約 8 成的子公司聯穎光電，共同跨入氮化鎵、碳化矽等第三代半導體領域，佈局高效能電源功率元件市場，目前相關製程技術仍處於研發階段。
聯穎為聯電新投資事業群的一員，成立於 2010 年，主要提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務，終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地台、國防航太、光纖通訊、光學雷達及 3D 感測元件等。目前營運持續虧損，今年上半年虧損約 6270 萬元。
下半年財經新聞傳出消息，第三代半導體材料商
漢磊せ聯穎產能滿載供不應求，
市場有傳言聯穎七月單月穫利已將上半年虧損打平，若以上市漢磊上半年穫利0.07元比較，聯穎的穫利水準超越漢磊10倍以上，以上提供訊息僅供參考
所以近日聯穎股價如同樓下大大所說，股價是用飛的......。
用飛的~~
用飛的~~
MOSFET缺貨、6吋廠接單滿手 聯穎光電、漢磊飆漲 2021/08/31
〔記者洪友芳／新竹報導〕MOSFET（金氧半場效電晶體）、二極體等分離式元件供不應求，帶動晶圓代工6吋廠接單滿手，除了茂矽（2342）、漢磊（3707）、元隆（6287）等產能全數滿載外，聯電轉手給旗下轉投資的聯穎光電6吋廠產能也爆滿，今年可望延續去年繳出獲利成績單，而漢磊與聯穎光電更挾亦發展熱門化合物半導體，上櫃及未上市股價更是水漲船高。
下半年可望逐季漲價
半導體業界指出，疫情帶動遠距需求激增，加上5G發展，使得市場對高速運算、人工智慧、物聯網與車用電子需求持續增加，晶圓廠產能供不應求，從8吋廠滿載外溢到6吋廠；國際整合元件（IDM）廠又優先支援車用晶片，加上近期馬來西亞疫情轉趨嚴峻，IDM廠無法正常生產營運，使得MOSFET、二極體等分離式元件產能缺口拉大，各家6吋廠紛紛被客戶追產能。
茂矽向董事會提擴產計畫
茂矽、漢磊、元隆等產能全數滿載，茂矽上半年轉虧為盈，漢磊、元隆則第2季轉為獲利；市場預期，以目前市況供不應求來看，下半年可望延續上半年逐季調漲價格的走勢，這將有利於各家6吋廠持續獲利。
茂矽指出，公司評估產能不足，已向董事會提出擴產計畫，但現今設備難覓是一大問題。
業界也指出，聯電多年前將旗下6吋廠作價4億多元轉給轉投資的聯穎光電，原本6吋廠呈現虧損、產能利用率也不佳，但從去年下半年以來，月產能4萬多片持續爆滿，帶動營運轉虧為盈；聯電持股聯穎光電89%，去年財報認列投資獲利5600多萬元。
漢磊股價水漲船高
聯穎光電6吋廠生產CMOS製程的二極體、MOSFET外，也生產砷化鎵、濾波器等，身負聯電布局化合物半導體的研發廠區，挾發展熱門化合物半導體的利多題材，聯穎光電近期在未上市股價已超過70元，與漢磊同為6吋廠股價飆漲股。
我說假設，
聯穎光電早已經吃到 SpaceX 供應鏈大單，預定未來擴充之產能已被SpaceX大掃貨一空，那股價趨勢會如何變化??
噓！噓！噓！ 我說假設萬一，半年後發生千萬別想到恆豪大我，我可沒提早洩漏機密，一切都是巧合阿！
有趣美好事件將會一直發生，知情人士買盤會讓股價說話表態，趨勢是否一路往北，座穩板凳靜觀其變！！
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支援低軌衛星通訊 穩懋、全新可受惠
低軌道衛星已成電子產業未來發展動能之一，天風國際分析師郭明錤最新報告認為，蘋果 (AAPL-US) 最新智慧型手機 iPhone13(暫稱) 可望支援低軌道衛星通訊服務，市場認為，手機支援低軌道衛星將進一步提升收發零件需求，屆時蘋果主力 PA(功率放大器) 供應商穩懋 (3105-TW)、上游全新 (2455-TW) 等都將受惠。
穩懋是蘋果手機 PA 主力供應商，近年受惠蘋果手機升級支援 5G 通訊服務，平均一台 5G 手機 PA 需求較 4G 提升約 2-5 顆，也積極擴產支應客戶需求，近年也布局衛星通訊領域商機，據了解，穩懋已成功打入 SpaceX 供應鏈，供應衛星通訊晶片。
針對低軌道衛星應用，穩懋認為，目前仍在初期階段，但毛利等各方面都很好，預期這兩年將大幅成長，比重也可看到明顯提升，今年下半年動能仍來自手機 PA、WiFi 等，估第三季營收將季增 7-9%，毛利率維持 34-36%。
全新則是穩懋上游磊晶廠，隨著穩懋營運規模擴大、低軌衛星布局發酵，營運同步受惠，展望下半年，全新也樂觀看待 5G、WiFi 6 應用發酵，加上 3D 感測 VCSEL 動能恢復下，營運將優於上半年。
郭明錤最新報告預測蘋果 iPhone 13 可望支援低軌道衛星通訊服務，並採用高通 (QCOM-US) X60 晶片，且可望與 Globalstar (GSAT-US) 合作提供低軌道衛星通訊服務，未來也不排除與 SpaceX、中國衛通進行合作。
1、9/3停止過戶最後一天，8/27要過戶完成，原股東單純只是換發無實體股票，應是8/26上漲的原因。
2、有增資計劃，但增資價格及日期未定案。(若真有規劃，認購價可能介於40~50元吧?!)
從修改公司章程可知，能換發無實體股票已是為增資做準備，近期應可較明朗。
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第三代半導體國家隊 成形 2021-08-24 05:35 經濟日報 / 記者李**
5G、電動車等終端應用市場需求爆發，推升全球功率和第三代半導體火紅。台廠在台積電（2330）領頭下，包括世界先進、環球晶、漢磊、富采、太極等業者均投入相關業務，從磊晶、設計、晶圓代工到封測，逐步打造完整產業鏈，「第三代半導體國家隊」儼然成形。
國際半導體產業協會（SEMI）昨（23）日發布最新報告預估，全球功率和第三代半導體晶圓廠設備支出快速擴張，估今年投資額年增約20%、達70億美元（約新台幣1,960億元），創新高。
SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸表示，台灣在以矽為基礎的半導體產業有很好的基礎與能量，因應近年化合物半導體需求席捲全球，SEMI率先串聯台灣廠商，透過全方位的溝通平台，持續推動跨區域資源媒合、進行國際標準建立與政府政策倡議，力推台灣第三代半導體國家隊成形。
國內發展第三代半導體的相關業者中，龍頭台積電已與客戶合作開發多年，去年與意法半導體一同宣布加速市場採用氮化鎵產品，並已促成累計超過1,300萬顆氮化鎵晶片出貨。
台積電轉投資世界先進也加足馬力，其氮化鎵（GaN）製程最快今年底、最遲明年上半年開始可小量生產。
此外，全球第三大、台灣最大半導體矽晶圓廠環球晶，以及漢磊、嘉晶等中小型晶圓廠也積極投入。
環球晶董事長徐秀蘭先前提到，投入耕耘第三代半導體領域已有數年時間， 往後的新應用都具有「三高」特性，也就是高壓、高頻與高容量，例如汽車電池、5G基地台應用等，這些並不是用矽材料做不到，只是散熱表現可能沒有利用化合物半導體來得好，所以後續第三代半導體的成長速度可預期會很快。
漢磊布局碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等化合物半導體元件多年，其SiC更是台灣半導體業唯一已建置4吋與6吋產能的廠商。據悉，漢磊相關4吋廠月產能約1,200至1,500片，6吋月產能約500至800片，由於單價比一般矽為主的邏輯IC代工生產價格貴十倍，帶動漢磊上半年轉虧為盈。
【記者鍾泓良／台北報導】面對國際半導體產業協會（SEMI）提出台灣組第三代半導體國家隊的概念，經濟部工業局昨（23）日回應，該倡議與政府所提出的半導體設計、技術及材料在地化目標不謀而合。政府將與產業界及研究機構充分合作，積極讓台灣半導體優勢從矽半導體再擴大版圖到化合物半導體。
砸43兆 陸強攻第三代半導體 《經濟日報》．記者林宸誼／台北報導
面對美國在半導體領域不斷打壓，大陸欲藉第三代半導體技術來彎道超車美國，彭博報導，大陸不僅決定投資人民幣10兆元（約新台幣43兆元）在第三代半導體材料的研發及生產，並首次寫入「十四五」規劃中，顯示未來五年將是發展第三代半導體的關鍵時刻。
與第一代半導體材料矽（Si）、鍺（Ge），和第二代半導體材料砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）相比，第三代半導體材料為氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）具有更好的物理和化學特性，同時具有散熱迅速、耐高電壓、高電流的特性等特性。
因此第三代半導體材料多用在5G基地台、快速充電以及電動車、軌道交通等產品上。
由大陸科技部、工信部支持，科研機構、大專院校、龍頭企業發起籌建的「第三代半導體產業技術創新戰略聯盟」（CASA），於今年6月發布的「第三代半導體產業發展報告2020」白皮書顯示，去年大陸第三代半導體整體產值超過人民幣7,100億元（約新台幣3兆元）。
其中，半導體照明整體產值約人民幣7,013億元，受新冠疫情影響較2019年下降7.1%；碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）電力電子產值規模達人民幣44.7億元，年增54%；GaN微波射頻產值達到人民幣60.8億元，年增80.3%。
事實上，大陸第三代半導體企業包括中芯國際、韋爾股份、卓勝微、天科合達、同光晶體、泰科天潤、三安光電、英諾賽科等紛紛擴產，預告大陸第三代半導體產業開始進入擴張期。
半導體產業專家、前漢磊科技總經理莊淵棋認為，美國在第三代半導體材料科學中，是遙遙領先全世界，但在科技屢遭美國打壓下，大陸必須要找出路，大陸內需市場大，行業初期有國家補助，所以可以自成一套系統。
莊淵棋表示，目前半導體所使用的材料仍以矽為主，有製程成熟度高、成本低等優點，然而在需耐高電壓及高溫、高功率、高頻運作等應用場景，矽基半導體已面臨極限，反而不如第三代半導體材料的氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）產品表現優異。
莊淵棋解釋，以碳化矽（SiC）來說，優勢在於包括寬能隙、擊穿電場強度大、電子飽和移動速度快、熱傳導率快等，所以在嚴苛環境下也能穩定操作，尤其可以應用在5G、軌道交通、太陽能、電動車等。
台灣經濟研究院研究員劉佩真指出，第三代半導體材料助推功率半導體朝向高頻、高功率、輕量化發展，例如在電動車應用中，碳化矽（SiC）功率半導體相比於矽（Si）基器件更可實現輕量化和高效率，而大陸半導體功率半導體業者正在加速布局此領域。
化合物半導體成新興戰場 台灣應掌握發展契機 2021/07/23
國際貿易角力和地緣政治影響，加以COVID-19疫情催化下，再度讓世人看到半導體對現今經濟社會的重要性。近年來半導體產業的一大發展趨勢，在於化合物材料的創新應用；包括GaAs（砷化鎵）、InP（磷化銦）等第二代化合物半導體，以及GaN（氮化鎵）、SiC（碳化矽）等第三代的寬能隙材料，由於具備較高的功率密度，或是耐高溫、耐高壓等優異特性，並更適於感測、顯示與照明、電動車、通訊與資安、國防航太等多種用途，因此也愈受各相關產業重視。
國際研究諮詢機構Gartner預估，SiC的電晶體市場於2018至2024年的年複合成長率將高達27％；如以SiC基板搭配GaN磊晶的電晶體市場，同期的年複合成長率將達26％。反映出化合物半導體的應用發展正不斷擴大，同時在國際上也有眾多廠商、甚至是國家爭相投入布局，期能在未來的半導體產業中取得先機。
以CdTe（碲化鎘）以及ZnSe（硒化鋅）化合物半導體起家的美國II-VI公司為例，就運用購併擴展垂直和水平的供應鏈，延伸至第二代、乃至第三代寬能隙半導體產品，是全球第一家試製並發表8吋SiC基板的公司，甚至還自行開發SiC長晶等設備。其產品應用主要在於光通訊、光感測等領域，並積極擴展新興高頻無線通訊與高功率電力電子市場，像是與日本住友電氣合作應用6吋GaN-on-SiC晶圓開發5G通訊設備等，使得該公司能透過國際結盟等策略朝IDM（整合元件製造）廠的模式發展。
日本IDM廠ROHM半導體也是經購併上游的SiCrystal公司，切入SiC晶圓與元件市場，在2020年就推出第四代的MOSFET（金屬氧化物半導體場效電晶體）產品，並透過供應SiC晶圓予瑞士STMicroelectronics（意法半導體）、SiC元件予德國車電零組件製造商Vitesco Technologies等加深國際合作。而在全球SiC晶圓市占高達六成的美國Cree公司，除了在2021年完成出售LED部門、以專注第三代寬能隙半導體業務，並以供貨協定和技術保護來維持市占；同時計畫至2024年將SiC產能提高30倍，也為GaN高頻業務投資10億美元，還與多所學校合作、加強人才培育。
在重點推動半導體產業的國家，化合物半導體牽動了電力、資通訊等相關產業的發展，對於創造國內經濟循環更扮演重要角色。中國大陸自2011年「十二五規劃」就將SiC納為新材料產業，後續更提升為電力電子與第三代半導體產業的發展項目，政府補貼力道也不手軟，希望能擺脫矽基半導體受制於美國的情形；光是2020年中國大陸的SiC晶圓出貨量，就已占全球近9％，預期2025年將成長至16％。
日本及韓國對化合物半導體的推動也不遺餘力，將主力投注在B5G/6G基礎建設及電動車、再生能源等電力應用方向，甚至不約而同針對寬能隙化合物「Ga2O3」（氧化鎵）進行開發。在美國，近期除了美國人工智慧國家安全委員會（NSCAI）特別點名GaN材料及電晶體研發的重要性，另在美國半導體產業協會（SIA）的新任董事成員中，則有多位化合物半導體相關業者加入，顯然對美國半導體產業的影響也與日俱增。
然而，當半導體材料已從原先的矽擴展到更多元的化合物時，向來在全球半導體市場中占有領先地位的台灣，不論是新技術的建立、升級，或是供應鏈業者的營運模式，是否還能延續過去矽基的優勢和利基，就成為我們必須思考的關鍵議題。
從全球化合物半導體產業鏈發展的觀點，目前許多主要廠商都積極運用購併、擴大資本支出、增加研發預算和提升產學合作等，以建立新興化合物半導體的技術能量；在經營策略上也多採取國際供應鏈結盟合作的方式，甚至是配合國家政策的推動，以能串聯產業的上下游，並促進內循環經濟生態體系的形成、帶動擴大產業發展。
台灣雖然已有不少產學研界投入化合物半導體發展並初具成效，但要能夠進一步提升全球競爭優勢，建議必須要強化未來的規畫定位、發展藍圖等，並要能與國際緊密介接。比如國內多家業者都提到在化合物半導體的IC設計、製程設備，甚至是在市場拓展、人才培育等方面都還有待加強，才能夠補足產業鏈中的缺口，打造台灣新一代的半導體生態體系，開創未來「贏」的契機。
第三代半導體領漲：投資火熱產業鏈擴產潮湧
雖然這一領域被大眾稱為第三代半導體實際指的是材料層面的更新它與第一代第二代半導體並非替代關係而是形成互補三者特性各異用途不同。
根據智慧芽數據顯示第三代半導體-氮化镓的相關專利在全球的申請總量為157439件其中在中國的申請量為41730件排名第一。
第三代半導體是近兩年半導體圈內熱詞。隨著特斯拉Model 3逆變器逐漸改采碳化矽器件、國產手機品牌采用氮化镓充電器，第三代半導體的應用規模正加速成長，也進一步受到資本市場青睞。
6月17日，第三代半導體概念在資本市場領漲，截至當日收盤，Wind第三代半導體指數上漲10.83%，聚燦光電股價上漲20.01%、華潤微上漲19.13%、揚傑科技上漲12.68%，三安光電、乾照光電、北方華創等多股漲停。
TrendForce集邦谘詢方面向21世紀經濟報道記者表示，2018至2020年第三代半導體產業陸續受到中美貿易摩擦、疫情等影響，整體市場成長動力不足致使成長持續受到壓抑。由於受到車用、工業與通訊需求助力，2021年第三代半導體成長動能有望高速回升。其中又以氮化镓功率器件的成長力道最為明顯，預估其今年市場規模將達6100萬美元，年增率高達90.6%。
新基建推動需求爆發
雖然這一領域被大眾稱為第三代半導體，實際指的是材料層面的更新，它與第一代、第二代半導體並非替代關係，而是形成互補，三者特性各異、用途不同。
具體來看，第一代半導體材料以矽（Si）和鍺（Ge）為主，是CPU處理器等集成電路主要運用的材料；第二代半導體包括砷化镓（GaAs）、磷化銦（InP）等，目前手機所使用的關鍵通信芯片都采用這類材料製作。
第三代半導體材料主要是以碳化矽（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導體材料。在通信、汽車、高鐵、衛星通信、航空航天等應用場景中有優勢。其中，碳化矽、氮化镓的研究和發展更為成熟。
目前來看，第三代半導體的火熱，主要有兩方面的力量推動。首先是應用場景的需求，尤其是在國內新基建的推動之下，5G通信、新能源汽車、航空航天等領域成為新的增長點，對於新材料的使用量也進入新爆發期。不過，需要指出的是，第三代半導體並非革命性的顛覆技術，但是應用市場空間巨大。
其次，當前半導體的自有產業鏈的打造刻不容緩，而目前使用第三代半導體的器件，量產製程並非先進製程，因此“卡脖子”的瓶頸小，更容易突圍，並且國內更有機會與國外企業並駕齊驅，也被視為中國半導體產業突圍的機會點。有業內人仕向21世紀經濟報道記者指出，第二代半導體的先進製程用到的材料複雜性和純度要求都很高，相對而言第三代半導體在材料上更容易突破，面臨的生態挑戰也更小。
根據《第三代半導體產業發展報告（2020）》的統計數據，2020年，我國第三代半導體整體產值超過7100億，其中電力電子及微波射頻持續增長。
電力電子應用上，在新能源汽車應用的強力帶動下，2020年國內碳化矽、氮化镓電力電子器件市場規模較上年同比增長90%。同時，2020年，PD快充市場爆發，國內手機廠商和電商共推出數十款氮化镓快充新品，同時筆電廠商也陸續進入。
射頻應用方面，5G基站建設是關鍵驅動力量。2020年三大運營商宣布共完成80萬座5G基站建設，帶動國內氮化镓微波射頻器件市場需求較上年同比增57.2%。
光電子應用方面，Mini-LED規模商業化應用已經開啟，未來將進入家庭場景；Micro LED關鍵技術持續突破，但規模產業化應用尚需時日；新冠疫情的暴發為紫外LED行業創造了動力，“十四五”期間年均複合增長率有望達到41%。
國內布局企業超過百家
在市場驅動下，國內企業紛紛強化第三代半導體布局，並進行擴產，如天科合達、同光晶體、納維科技、泰科天潤、中電科55所、三安光電等紛紛擴產。
在產能供給方面，晶圓廠也在陸續擴產，集邦谘詢指出，SiC器件部分，由於通訊及功率領域皆需使用該襯底，因而6英寸晶圓的供應量顯得吃緊，預估2021年SiC器件於功率領域營收可達6.8億美元，年增32%。目前各大襯底商如科銳（CREE）、貳陸（II-VI）、意法半導體等已陸續開展8英寸襯底研製計劃，但仍有待2022年後才有望逐漸紓緩供給困境。
與此同時，傳統半導體企業也在積極布局第三代半導體，代表企業有華潤微、聞泰科技、斯達半導體、比亞迪、賽微電子等。
據亞化谘詢不完全統計，近幾年國內布局第三代半導體產業的企業超過百家，僅2021年5月簽約的第三代半導體相關項目就將近5個。
記者從半導體投資人仕處了解到，目前看到的一些第三代半導體項目基本上估值都非常高，但從業務量看，並沒有和估值特別匹配，所以也會糾結考慮，有一些機構布局得早，比如4~5年前開始部署，還是有不錯的回報。
盡管第三代半導體擁有誘人的潛力，但是當前仍處於發展初期，一位芯片設計行業人仕向21世紀經濟報道記者分析道，第三代半導體的成熟化商用還需要時間，目前還沒看到包括設計等整個產業鏈生態轉向第三代半導體，這涉及到整個行業的生產成本、價格等等，商業化需要過程。
據市場調研機構Yole數據顯示，Cree | Wolfspeed、ROHM、Infineon、Mitsubishi和ST五家企業合計占有SiC功率半導體80%的市場份額，EPC、Transphorm、GaN system、Infineon四家企業合計占有GaN功率半導體90%的市場份額，住友電工、Cree | Wolfspeed和Qorvo三家企業合計占有GaN射頻85%的市場份額。相比國外企業，國內仍有差距，並且國產化水平較低，存在低水平重複建設現象。
另一廂，國內也在技術、產業鏈上不斷創新。以氮化镓相關專利為例，根據智慧芽數據顯示，第三代半導體-氮化镓的相關專利在全球的申請總量為157439件，其中，在中國的申請量為41730件，排名第一。
整體來看，第三代半導體替代了部分功率器件，能否在集成電路產業中占據更多份額，還需要觀察市場需求以及產業鏈的進一步發展。
八月底前是否衝破80.0元大關?！
第三季能否單季賺EPS 1.0元以上??！！
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應該是第一季虧損 -103,024千元
第二季是賺 40,315千元
所以，累計到第二季是 -62,709千元
等於是經過第一季的最壞狀況，第二季恢復正常之後就穩定了
若沒有意外，第三季、第四季也是賺40,000千元。
本年度就有盈餘
股本1,843,956,780元
110年Q1虧損103,024仟元，EPS -0.558元
110年Q2虧損62,709仟元，EPS -0.34元
股本1,834,201仟元
110年Q1虧損103,024仟元，EPS -0.56元
110年Q2虧損62,709仟元，EPS -0.34元
虧損減少，本就想Q2應不會賺錢，因Q1更換設備所致，但投資本就是投資未來，重點是Q3、Q4應會大幅成長。