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聯電今日推出業界首項RFSOI 3D IC解決方案 加速5G時代創新

晶圓代工大廠聯電（2303）2日宣布推出業界首項RFSOI製程技術的3D IC解決方案，此55奈米RFSOI製程平台使用的矽堆疊技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將晶片尺寸縮小逾45％，使客戶能有效率整合更多射頻元件，以滿足5G更大的頻寬需求。


聯電表示，RFSOI是用於低雜訊放大器、開關和天線調諧器等射頻晶片的晶圓製程。隨著新一代智慧手機對頻段數量需求不斷成長，聯電的RFSOI 3D IC解決方案利用晶圓對晶圓鍵合技術，並解決晶片堆疊時常見的射頻干擾問題。


聯電指出，公司的RFSOI 3D IC解決方案將裝置中傳輸和接收資料的關鍵組件，透過垂直堆疊晶片來減少面積，以解決在裝置中整合更多射頻前端模組（RF-FEM）帶來的挑戰。此製程已獲得多項國際專利，準備投入量產。


聯電技術開發處執行處長馬瑞吉（Raj Verma）說明，此突破性技術不僅解決5G/6G智慧手機頻段需求增加帶來的挑戰，更有助在行動、物聯網和虛擬實境裝置中，透過同時容納更多頻段，來實現更快的資料傳輸。


馬瑞吉強調，聯電很高興能領先業界，以創新射頻前端模組的3D IC技術，為客戶打造最先進的解決方案。未來將持續開發如5G毫米波（mmWave）晶片堆疊技術的解決方案，以滿足客戶對射頻晶片的需求。


據悉，聯電擁有業界最完整的射頻前端模組晶片解決方案，RFSOI解決方案系列從130到40奈米的製程技術，以8吋和12吋晶圓生產，目前已完成超過500個產品設計定案，出貨量高達380多億顆，除了RFSOI技術外，聯電的6吋晶圓廠聯穎光電還提供化合物半導體砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN），以及射頻濾波器（RF filters）技術，可充分滿足市場對射頻前端模組應用的各種需求。<摘錄經濟>

晶圓代工廠聯電（2303）今（31）日召開股會，由董事長洪嘉聰主持，快速通過盈餘分配等案，看下半年景氣，共同總經理簡山傑表示，庫存調整有持續在進行中，但比預期緩慢，景氣沒有明顯復甦，不過財務長劉啟東補充，公司在景氣不佳的時候，致力於發展特殊製程、持盈保泰，另外，P6廠區的產能持續開出。
　
劉啟東指出，聯電目前在28奈米的OLED製程是世界領先的，市占率持續維持，且會複製該成功的例子應用到RFSOI製程等，且在景氣變化快速的當下，客戶端是不會輕易地更換供應商，聯電會以特殊製程保持在市場的競爭力。

劉啟東進一步說，聯電28奈米OLED驅動IC部分，受客戶青睞，因此12吋產能利用率在下半年會超過九成， 以現在公司的28奈米和22奈米來說，「甜蜜點」都滿不錯的，暫時沒有很大的壓力要往14奈米走，不過總結來說，以現在的產能狀況，未來不用花太多的資本支出，就可以協助客戶轉換成14奈米。

針對P6新廠，劉啟東說明，在本季開始生產，規劃到年底月產能會達2.7萬片，明年攀升到3.2萬片，至於電價上漲的影響，針對獲利率大概影響約1-2個百分點。

關於收購與中國大陸官方合資興建、位於福建廈門的聯芯12吋晶圓廠全數股權，劉啟東更新最新進度，預計會在年底前完成。

提及市場關注的聯穎光電，劉啟東坦言產能利用率確實下滑，不過該子公司持續加速在技術的研發，以整個聯電集團來說，是具有一個代表性的。

<摘錄聯合新聞>

晶圓代工廠聯電 (2303-TW)(UMC-US) 透過旗下子公司聯穎光電，積極投入第三代半導體製程開發，受惠 5G、車用等應用需求暢旺，上半年賺贏去年全年，不過由於產能仍有部分矽基半導體，難逃下半年消費性電子需求放緩衝擊，第三季獲利縮水至 6551 萬元，較上季大減超過 8 成。

聯穎光電為聯電持股約 8 成子公司，去年獲利 5.04 億元，今年第一季、第二季獲利分別為 3.41 億元、3.55 億元，已連 3 季獲利衝破 3 億元，且逐季成長。

不過，由於聯穎主要提供 6 吋化合物半導體晶圓代工服務，受景氣循環波動影響較大，隨著第三季起消費性電子市況走弱，產能利用率也因此下滑，導致獲利大幅縮水。

聯穎產品囊括砷化鎵新一代 HBT 技術、0.15 微米 pHEMT 技術、氮化鎵高功率元件到 SAW 濾波器，並跨足光電元件製造。在 6 吋市場站穩腳步後，聯穎現階段正朝 8 吋積極佈局，且有別於台積電 (2330-TW)(TSM-US) 在氮化鎵 (GaN) 上主攻功率半導體，聯穎則是功率、微波並進，能有更大發展空間。

聯穎目前仍有少部分利基型矽基半導體產能，規劃逐步拉高化合物半導體比重，縮減矽基半導體產能，目標 2-3 年內，全面轉向化合物半導體製造。

<摘錄鉅亨網>

隨著5G、電動車等新應用百花齊放，對高頻、高速運算、高速充電需求大增，傳統以矽及砷化鎵為材料的第一代與第二代半導體在溫度、頻率、功率等已達極限，無法用於嚴苛環境，具備高能效、低能耗的第三代半導體成為市場當紅炸子雞，吸引鴻海、聯電等大型集團積極搶進，試圖開啟新的獲利方程式。

科技市調機構集邦科技（TrendForce）推估，第三代半導體產值將從2021年的9.8億美元，至2025年將成長至47.1億美元，年複合成長率達48%。

其中，碳化矽（SiC）適合高功率應用，如儲能、風電、太陽能、電動車、新能源車等對電池系統具高度要求的產業。

從鴻海與聯電集團布局來看，鴻海集團本來就已經深耕半導體上中下游領域，從IC設計、晶圓製造、封裝測試與設備均非常完整。

鴻海董事長劉揚偉曾公開強調，鴻海要發展的半導體，不是昂貴困難的先進製程，而是鎖定成熟製程，更何況這些成熟製程的IC，都是未來電動車要使用到的零組件，因此，鴻海的半導體大業，其實是為了電動車的發展而布局。

儘管外界對鴻海集團發展半導體的技術仍有些疑慮，但鴻海半導體事業群總經理陳偉銘指出，很多事情他無法明講，因為一旦講出來，競爭對手就會模仿他們。不過，鴻海在半導體製程上，有自己的特殊製程技術、特殊的know how，進而讓鴻海的電動車半導體元件，與眾不同。

聯電主要透過轉投資聯穎光電切入第三代半導體，初期鎖定6吋氮化鎵（GaN）產品，考量目前業界氮化鎵整體解決方案提供者較少，聯穎也建置技術平台，完成後會把平台開放給設計公司客戶使用，擴大接單利基。

聯電近期則擴大第三代半導體布局，今年陸續自行購置蝕刻、薄膜新機台，下半年陸續進駐8吋AB廠，瞄準8吋晶圓生產第三代半導體的經濟效益優於6吋晶圓的方向，全力搶攻商機。<摘錄經濟>

鴻海、聯電兩大集團衝刺第三代半導體火力全開。鴻海昨（15）日預告，將整合串起一條龍供應鏈，在第三代半導體領域大顯身手；聯電則以子公司聯穎光電為指標，目前產能滿載，規劃擴大產能以因應需求，並朝更先進的8吋晶圓與多元應用邁進。

「SEMICON Taiwan 2022國際半導體展」昨天進入第二天，鴻海、聯電分別展示其在第三代半導體的壯志雄心，鴻海旗下鴻海研究院並攜手國際半導體產業協會（SEMI）舉辦「NExT Forum」主題論壇，董事長劉揚偉透過線上預錄的影片表示，鴻海近年積極發展電動車、數位健康和機器人三大產業，這些產業都需要功率和光電半導體來推動技術創新，在去年論壇後，鴻海研究院也獲得國家科學及技術委員會部會級的大力支持。

他強調，鴻海正在建立和擴大在第三代半導體的競爭優勢，包括投資碳化矽基板製造商盛新材料，強化上游供應鏈確保基板供應，並迅速拓寬產品組合。

鴻海研究院半導體研究所所長郭浩中說，隨著5G、電動車、再生綠能、航空等科技發展，化合物半導體的重要性也隨之提升，鴻海將整合串起一條龍供應鏈。

聯電集團則透過轉投資聯穎光電切入第三代半導體，主要提供6吋化合物半導體晶圓代工服務，技術涵蓋砷化鎵新一代HBT技術、0.15微米pHEMT技術、氮化鎵（Gan）高功率元件到濾波器，並跨足光電元件製造，終端應用領域包括手機無線通訊、無線微型基地台、國防航太、光纖通訊、光學雷達及3D感測元件等。

聯電技術開發五處資深處長、聯穎研發副總邱顯欽昨日透露，目前聯穎接單熱絡，產能滿載，公司規劃將其中少部分的利基型矽基半導體產能，逐步轉為化合物半導體，縮減矽基半導體產能，目標二至三年內，全面轉向化合物半導體製造。

聯電集團並朝技術難度更高、經濟效益更好的8吋晶圓第三代半導體製造邁進。邱顯欽透露，聯穎在6吋第三代半導體市場累積豐富經驗後，接下來就是全面朝8吋布局，有別於同業在氮化鎵（GaN）上主攻功率半導體，聯穎則是功率、微波並進，有更多發展空間。<摘錄經濟>

聯電 (2303-TW)(UMC-US) 透過旗下子公司聯穎光電，近年來積極投入第三代半導體製程開發，受惠 5G、車用等應用需求暢旺，聯穎今年第二季已連續 5 季獲利且逐季成長，上半年已賺贏去年全年。

聯穎光電為聯電持股約 8 成子公司，去年全年獲利 5.04 億元，今年第一季、第二季獲利分別為 3.41 億元、3.55 億元，已連續 3 季衝破 3 億元大關，且逐季成長。

聯穎主要提供 6 吋化合物半導體晶圓代工服務，技術囊括砷化鎵新一代 HBT 技術、0.15 微米 pHEMT 技術、氮化鎵高功率元件到 SAW 濾波器，並跨足光電元件製造，終端產品應用領域包括手機無線通訊、無線微型基地台、國防航太、光纖通訊、光學雷達及 3D 感測元件等。

考量目前業界氮化鎵整體解決方案提供者較少，聯穎正進行技術平台建置，完成後會將平台開放給設計公司客戶使用，擴大接單利基。也傳聯電為擴大第三代半導體布局，將搶進難度更高的 8 吋晶圓第三代半導體製造領域，下半年相關機台將陸續進駐廠區，並將投入碳化矽製程開發。

聯電近年來積極布局第三代半導體，未來聯穎將是主要生產基地，且為進行產業鏈前後段整合，聯電也與封測廠頎邦 (6147-TW) 換股結盟，將產線延伸至氮化鎵晶圓凸塊及晶圓級晶片尺寸封裝 (WLCSP) 等代工市場。

<摘錄鉅亨網>

科毅科技瞄準市場主流需求3∼10微米（um）中高階後段封裝，包 括Micro LED、PCB、MEMS及被動元件等產業需求，致力研發「無掩膜 雷射直寫曝光機」，並將申請政府科專計畫，成為次世代明星商品。

　　無掩膜雷射直寫曝光機（Mask less UV Laser Maskless Lithogr aphy）系統是利用聚焦電子束對有機聚合物進行曝光，受電子束輻照 區域的光刻膠之化學性質會產生變化，形成固化或非固化區域，因而 能在抗蝕劑上形成精細圖形。科毅科技表示，無掩膜雷射直寫曝光機 具備能進行動態掃描，速度穩定性高，再加上位置觸發功能和低延遲 ，於微米製程提供智慧光刻功能，並減少光罩之使用，降低生產成本 ，更適用在少量多樣的產業等優勢。

　　除上述研發商品外，科毅科技亦持續改進另一項明星商品：風刀式 奈米級光罩除塵機（MCS），能更有效及全面性提高晶圓曝片之除塵 率，已深獲多家國際知名半導體公司、晶圓代工大廠青睞。

　　科毅科技產品涵蓋半導體晶片前端製程七大設備，包括曝光機、蝕 刻機、鍍膜設備、量測機、清洗機、離子機以及其他設備等，曝光機 主要作用為將掩膜版上的晶片電路轉移到矽片，是IC製造的最高環節 ，科毅科技黃光設備產品主要客戶遍及國內上市櫃大廠，包括日月光 、聯穎光電、友達光電、群創光電、中強光電、崇浩光電、台灣晶技 、台灣光罩、台灣生捷、奇美電子／實業及中研院、工研院、台大、 清華、陽明交通…等學術研究機構，市占率逐步上升。

　　科毅科技另掌握世界知名品牌二手曝光機來源，因交易金額較高， 已尋得實力堅強之合作夥伴協助，正積極洽詢國內外需求客戶，預期 將能產生高額收益。

　　在疫情趨緩，國際貿易恢復正常商業活動後，科毅科技將進軍中國 及東南亞市場，持續擴大市場占有率，並積極規畫朝向資本市場邁進 。<摘錄工商>

　　靜電防護晶片（ESD）廠晶焱（6411）在2021年第四季及全年營收 順利創下新高後，2022年隨著新產能挹注，業績有望持續衝高。

　　法人圈傳出，晶焱2022年將首度在力積電8吋晶圓投片，且獲得聯 電旗下6吋廠聯穎光電產能支援，將全力搶攻USB 4、車用市場，202 2年全球市占率將可望坐三望二。

　　晶焱2021年12月合併營收達3.83億元、月成長3.6％，創下單月歷 史次高，推動第四季合併營收季成長12.5％至11.85億元，寫下單季 新高表現，累計2021年全年合併營收達41.42億元、年成長29.9％同 締新猷。

　　法人指出，晶焱2021年下半年成功獲得晶圓代工產能支援，加上客 戶同樣轉嫁增加成本，因此使晶焱下半年合併營收開始明顯成長，且 第四季在客戶拉貨動能續旺情況下，使合併營收達到淡季不淡水準。

　　進入2022年後，法人圈傳出，晶焱將可望首度獲得力積電8吋晶圓 投片，雖然初期投片量有限，大約僅200∼300片等小量規模，不過後 續有機會持續獲得力積電8吋晶圓產能擴大支援，目標是每月2,000片 規模。

　　不僅如此，聯電旗下的6吋晶圓廠聯穎光電也對晶焱產能提供奧援 ，法人指出，目前聯穎光電每月提供給晶焱大約兩萬片的6吋晶圓規 模，加上力積電提供的8吋產能晶圓，晶焱將可望擴大供貨給車用及 USB 4等相關客戶，使ESD晶片出貨動能在2022年將可明顯攀升，市占 率有機會坐二望三。

　　據了解，晶焱在2021年受惠遠端商機，使ESD晶片獲得客戶在USB控 制IC、HDMI及行動周邊零組件等終端應用擴大導入訂單，且進入202 2年還可望受惠於USB 4、PCIe Gen4／5等高速傳輸介面滲透率提升， 加大晶焱ESD晶片出貨動能。

　　整體來看，法人看好，晶焱在2022年營運將有機會在市場需求續旺 ，加上晶圓代工產能奧援情況下，推動單季業績呈現逐季成長規模， 全年業績將有機會繳出優於2021年的成績單，代表將再改寫新高表現 。<摘錄工商>

　　經濟部國際貿易局為協助光電業者搶攻美國市場商機，委託外貿協 會組團前往舊金山，參加於莫斯康展覽中心隆重登場的「美國西部光 電展（SPIE PHOTONICS WEST）」，成果亮麗。

　　外貿協會表示，該展為全球光電領域重要會議暨展覽盛會，由全球 光電及雷射應用領域權威機構-國際光學工程學會（SPIE）主辦，今 年吸引1,350家參展商，湧入超過23,000位專業人士到場參觀。

　　台灣參展廠商包括和蓮光電、亞洲光學、揚明光學、聯穎光電、宏 明科技、騰錂鐳射及成大微奈米科技研究中心等，展出各類光學材料 及光學組件、光學鏡頭、可變波長光源系統、光通訊波分覆用器、透 鏡陣列、KW級光纖雷射零組件、智慧晶片及微奈米檢測等產品及技術 。

　　揚明光學首度參與展會，以光學模組及光學零組件之設計、製造、 量產的一條龍專業技術為主，此次展出光學零組件與微投影模組，積 極搶攻展智慧家居及車用市場，開展後即吸引不少買主駐足詢問，產 品相當受買主歡迎。

　　和蓮光電展示以矽基型液晶空間光調變器LCoS-SLM、微型LED啟動 套件、數位調製以及先進的矽背板技術，多次參展已累積眾多的客戶 群，展覽期間吸引大量買主不斷前來參觀及詢問，展覽成效相當良好 。

　　亞洲光學為全球第一大光學元件廠，深耕光學領域多年，並有完整 的產品及技術垂直整合能力，隨著車載及光通訊市場需求快速成長， 現場也吸引許多目標客戶來訪，未來商機備受看好。

<摘錄工商>

　　桃園地檢署偵辦穩懋半導體和聯穎光電商業間諜案，幫忙挖角、獵人頭的離職員工楊光宇收押前曾大方面對媒體鏡頭，喊冤並稱「自己是幫人找工作」，但由於證據確鑿，加上眾多線索指向他主導全局並傳授竊據參數技術，最後仍然栽了，昨與其他離職員工、掮客共五人一同遭起訴。

　　穩懋與聯穎遭竊的商業機密皆與半導體晶圓有關，是大陸嘉石發展六吋半導體晶圓急需的技術。穩懋昨（3）日表示，捍衛智財權是公司一貫的立場，對於不肖業者以此方式竊取商業機密予以譴責，未來公司捍衛智財權仍不遺餘力。

　　檢方調查，嘉石為了節省開發成本，去年7月找上曾在聯穎上班的楊光宇和台灣「薩摩亞華泓科技有限公司」的合夥人龍嘉弘在台獵人頭，開出年薪五倍、簽約金200萬元優渥條件，但相對地，必須持有原公司的晶圓製程與參數。

　　去年7月起，楊、龍二人陸續找上穩懋員工白勝傑、聯穎員工董建豪和張健智，談成後仍要求他們續留原公司竊取資料，期間還曾帶人到大陸見高層，秀出手機相機和隨身碟所竊得的資料「證明能力」，一行人在去年11月準備再赴大陸時全數被桃園市調查處帶回，查扣不法所得400萬餘元。

　　楊等人竊取的晶圓製程與參數，造成穩懋、聯穎二間公司的成本與預估利益蒙受損失，其金額分別高達50億元和25億元；檢調表示，穩懋、聯穎主攻半導體晶圓代工，產品運用面向多元，包括無線電、衛星等通訊設備，其技術被竊取不只公司蒙受損失，也牽動台灣在國際的整體競爭力。

　　收押前，楊光宇等人矢口否認犯案，但檢方調查，楊曾簽署公司的保密協定，更指導其他人將會議室的電腦硬碟換成私人硬碟，趁會議時取得機密文件。

　　另外，楊光宇等人的電子郵件和通訊軟體還保留赴大陸的談話內容和公司機密資料，成為檢方起訴的證據。<摘錄經濟>

　　調查局於去偵辦穩懋半導體商業間諜楊光宇案，循線查出聯電集團子公司聯穎光電研發工程師澹台富國，涉嫌與楊光宇合作出賣聯穎光電內部機密資料，昨（27）日搜索澹台富國住家及其辦公桌並約談澹台調查，訊後將依涉及營業秘密罪嫌移送桃園檢方偵辦。

　　調查局去年11月偵辦楊光宇、掮客龍嘉弘透過各種管道接觸穩懋離職或現任工程師，開出優渥條件，引誘工程師竊取公司商業機密，並帶多名工程師去大陸光電公司面試，酬勞包括簽約金200萬元，月薪15萬元。調查局得知楊光宇將於去年11月9日帶穩懋的張姓、董姓和白姓工師到大陸，於同月5日緊急收網，目前5人都被羈押。

　　調查局桃園機動站循線抽絲剝繭，發現新竹科學園區聯電集團子公司聯穎光電，擁有博士學位的研發工程師澹台富國亦涉嫌與楊光宇合作，將砷化鎵及氮化鎵晶片製程的資料提供給大陸光電廠，也曾到大陸面試，但疑因對月薪及簽約金不滿意沒有馬上答應。

　　調查局桃園機動站副主任李秩義指出，該站發現澹台富國涉案後，主動通知聯穎光電，聯穎光電啟動內部調查才知道最新製程技術被盜賣。他指出，大陸將砷化鎵、氮化鎵晶片研發列為經濟重點項目，計畫在北京、成都及福州建廠量產，不惜重金投資設備並挖角人才，近來多件光電廠的商業間諜都是大陸廠商在背後指使，他呼籲國內的工程師不要觸法。<摘錄工商>

　　看好功率放大器(PowerAmplifier，PA)在行動裝置及物聯網市場的強勁需求，聯電(2303)近期積極布局投入PA元件的砷化鎵(GaAs)晶圓代工市場，除了去年底將6吋廠售予聯電轉投資的GaAs晶圓代工廠聯穎光電，昨日再代聯穎宣布併購另一GaAs晶圓代工廠坤鉅科技。

　　今年是大陸智慧型手機進入4G時代的關鍵年，由於大陸三大電信業者均要求今年上市的4G新機要支援5模10頻，而包括聯想、華為、中興、小米等一線大廠，4G手機均要能支援全球20頻段，因此需要採用更多的PA晶片。

　　此外，物聯網應用今年開始出現爆炸性成長，為了讓物物相聯，不論是採用WiFi或藍牙等無線網路技術，均需要搭載PA晶片。也因此，去年下半年PA晶片嚴重供不應求，包括Skyworks、RFMD、Avago等大廠均接單大爆滿，並持續擴大委外代工，所以台灣GaAs晶圓代工廠宏捷科、穩懋等今年營運展望樂觀，而聯電則決定搶進GaAs代工市場爭取訂單。

　　聯電去年底宣布參加聯穎光電現金增資案，最高認購金額不超過5.4億元，同時也將位於新竹科學園區的Fab6A廠廠房及設備售予聯穎光電，出售價格合計4.4億元，聯電並可認列3.75億元的處分利益。而聯電此舉等於是讓聯穎光電擁有完整的GaAs晶圓代工產能。

　　聯電昨日亦代聯穎光電公告以換股方式併購坤鉅科技，換股比例為每3.333股坤鉅股票換發1股聯穎光電普通股，合併基準日為今年4月1日。預計合併後可整合整體資源，提升競爭力，並結合雙方在GaAs研發能力降低營運成本，提升營運績效，創造更大獲利空間，也可爭取國際大廠代工訂單。<摘錄工商>

看好光電用發展，聯電（2303）新事業投資公司去年8月成立的聯穎光電，將砷化鎵太陽能電池製造為主要業務。聯穎確定廠房落腳大陸山東，初期投資額不大於900萬美元（約新台幣2.65億元）。

聯電去年8月成立聯穎光電，跨入砷化鎵晶圓代工領域，在砷化鎵市場一度死寂下，聯電100%出資成立聯穎光電，市場矚目。

聯穎昨（24）日公告在山東成立山東聯穎。聯電表示，主要是廠房已經確定落腳山東，也是聯電太陽能在山東布局的生力軍。

看好砷化鎵未來在太陽能、光通訊等應用，聯穎光電的廠房確定山東，但聯電表示，動工時間尚未確定。
<摘錄經濟>