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宇川精材 (7887-TW) 今 (13) 日以每股新台幣 76 元登錄興櫃，隨著先進製程材料逐步在地化，宇川精材也獲獲買盤青睞，開盤後即一路向上，最高達 193 元，大漲 153.95%，大展蜜月行情。

宇川精材專注於特殊氣體的高純度有機金屬前驅物 (Metal Organic Precursor) 研發與製造的材料供應商，主要應用於原子層沉積 (ALD) 製程，隨著先進製程對 ALD 需求不斷增加，宇川相關前軀體需求也熱絡。

為滿足客戶訂單，宇川今年將在一廠中建立第二條產線，並預計在今年內開始貢獻營收，成為今年營收新動能，新增營收約與去年半導體業績相當，同時也持續推進第二座新廠建置。

宇川精材二廠將在今年上半年動工，工程期約 2 年，二廠建置完畢後，產能預計將是現階段的 6 至 10 倍，屆時不僅產品組合更加豐富，也可望擴大滿足更多客戶需求。

<摘錄鉅亨網>

櫃買家族本周再添多檔新兵，本周有八家公司包括騰勢（7889）、宇川精材、安立璽榮-KY、博研醫藥、睿信、喬越、元鈦科，以及宏羚將登錄興櫃。

騰勢將於明（13）日登錄興櫃，主要業務是從事保健食品研發、銷售及品牌經營。。輔導推薦證券商為凱基、台新綜合，以及富邦綜合證券，興櫃認購價104元。

宇川精材將於13日登錄興櫃，主要經營高純度有機金屬前驅物產品之研發、製造及銷售，可提供從材料的合成、純化、分裝、分析、倉儲、運輸，乃至於鋼瓶回收清洗、安全操作教育訓練等全方位的服務。輔導推薦證券商為兆豐、元大、福邦、宏遠，以及富邦綜合證券，興櫃認購價76元。

同樣將於13日登錄興櫃的安立璽榮-KY，主要是從事開發自體免疫、神經炎症及腫瘤等疾病之創新性精準免疫治療藥物。輔導推薦證券商為元大、第一金，以及華南永昌綜合證券，興櫃認購價主辦26╱38元，協辦35元。

博研醫藥將於14日登錄興櫃，主要是從事新藥之開發研究。輔導推薦證券商為合作金庫、康和綜合，以及宏遠證券，興櫃認購價主辦32╱34元，協辦36元。

睿信將於15日登錄興櫃，為專注於軍規及航太機櫃系統與纜線解決方案提供廠商。輔導推薦證券商為富邦綜合，以及台新綜合證券，興櫃認購價96元。

喬越將於16日登錄興櫃，主要業務為亞洲區專業電子應用材料之主要供應商，致力於電子膠材和特用塑料解決方案之開發與推廣。輔導推薦證券商為富邦綜合，以及國泰綜合證券，興櫃認購價108元。

元鈦科將於16日登錄興櫃，主要是從事AI伺服器液冷散熱設備產品之研發、製造及銷售，以及液冷散熱解決方案之案場規劃服務。輔導推薦證券商為凱基、元大，以及群益金鼎證券，興櫃認購價238元。

宏羚將於16日登錄興櫃，主要是列印及事務設備耗材、3C設備與零組件、網通設備及電腦週邊、紙類用品及軟體商品等商品之銷售，列印及事務設備之買賣、維修保養與租賃售。輔導推薦證券商為台新綜合，以及第一金證券，興櫃認購價26元。   <摘錄經濟>

先進半導體製程關鍵材料廠宇川精材（7887）將於13日以每股76元登錄興櫃，董事長郭文哲昨（7）日表示，因應國際大廠及客戶需求，今年上半年將啟動南科廠二期興建工程，規劃擴增產能六至十倍，投資金額上看30億元。

宇川精材將於今天舉行興櫃前業績發表會，昨天舉辦媒體交流會。宇川精材成立於2011年3月，2019年與聯華林德合作開發先進半導體製程前驅物，2020年完成產線建置，2023年完成試量產，2024年進入半導體大廠供應鏈。

宇川精材為國內少數專注高純度有機金屬前驅物研發與製造的材料供應商，產品主要應用於原子層沉積（ALD）製程，可廣泛用於先進邏輯晶片、記憶體、微波及功率元件、顯示器及太陽能等領域，屬於技術門檻高、驗證期長且轉換成本高的半導體上游關鍵材料。

隨著半導體業銷售高度成長，宇川精材去年前11月營收達1.21億元，已超越2023年和2024年營收總和；半導體營收比重達66%。
  <摘錄經濟>

　在半導體先進製程與先進封裝持續推進下，關鍵材料供應鏈的重要性日益凸顯。專注於高純度原子層沉積（ALD）前驅物研發與製造的宇川精材（7887），將於13日以每股76元登錄興櫃。市場看好其切入先進製程核心材料，有望在材料在地化與去風險化浪潮中，搶佔戰略位置。

　宇川精材董事長郭文哲表示，公司以「先進製程材料在地供應」為核心發展主軸，持續朝建構區域化半導體原子層前驅物材料生態系邁進，期待在全球半導體材料供應鏈中扮演更關鍵角色。

　早期以太陽能與化合物半導體材料為主，宇川精材近年加速轉型半導體級前驅物市場，主力產品聚焦ALD製程所需之高純度金屬有機前驅物；宇川指出，隨製程節點由FinFET邁向GAAFET、奈米片架構，元件結構立體化、深寬比提高，使傳統CVD與PVD技術面臨極限，ALD導入步驟與沉積層數持續增加，用量與價值隨之提升。

　因應客戶需求成長，宇川精材規劃斥資30億元於台南興建第二座工廠，基地面積逾8,000坪，新廠產能規模約為現有一廠的6∼10倍，預計今年下半年動工，兩年後完工投產。

　宇川分析，半導體先進製程前驅物需兼具高揮發性、熱穩定性與極高純度，製造難度遠高一般化工材料。宇川精材具備自主合成關鍵前驅物能力，並建置通過TAF 認證的超微量分析實驗室，可檢測多達31種金屬元素，精度達0.01 ppb等級，確保材料符合晶圓廠嚴苛規範。

　宇川在南科設有可合法製造、分裝及儲存第三、四類高危險化學品的廠區，提供從合成、純化、檢測、分裝到鋼瓶清洗的一站式服務，兼顧供應安全與即時交付。

　法人直指，宇川精材最受矚目的突破，在於成功打入先進製程晶圓大廠供應鏈。其ALD前驅物「S 產品」目前全球僅少數廠商具備供應能力，宇川不僅是台灣唯一進入該供應體系的業者，也成為德國Merck、法國Air Liquide等國際大廠之外的重要新成員，凸顯其技術與品管已達國際級水準。

　從產業趨勢來看，AI伺服器快速成長推升HBM與先進封裝需求，TSV（矽穿孔）製程中，高深寬比結構對介電與金屬沉積均勻性要求更高，使ALD在記憶體與先進封裝領域的應用擴大，對前驅物材料形成長期利多。   <摘錄工商>

國內財經：宇川精材(7887)、騰勢(7889)16日送件申請登興櫃，可望明年1月掛牌

【財訊快報／記者何美如報導】櫃買中心16日公告，宇川精材(7887)、騰勢(7889) 已經送件，申請登錄興櫃股票；依時程推估，可望在明年1月掛牌登興櫃。

宇川精材成立於民國110年3月23日，目前實收資本額8.17億元。截至114年11月30日，全體董事持股比例為11.27%。主要產品與服務包括高純度ALD製程用前驅物銷售、鋼瓶清洗，以及超微量檢測服務。該公司113年度市場結構以內銷為主，內銷占93.28%、外銷占6.72%。去（113）年度營業收入6130萬元，稅前純損1.03億元，每股虧損2.05元。

騰勢成立於民國102年7月16日，目前實收資本額2.07億元。截止114年11月28日，全體董事持股比例34.05%。該公司主要從事保健食品、寵物食品及用品之研發與銷售。113 年度市場結構以內銷為主，內銷占99.36%、外銷占0.64%。113年度營業收入8.49億元，稅前純益5058萬元，每股盈餘2.40元。<摘錄富聯網>

晶圓代工邁向先進製程，傳統鍍膜技術遇到瓶頸。隨著台積電、英特爾、三星等大廠陸續導入立體電晶體架構，未來對ALD（原子層沉積）設備與前驅物需求將快速擴張，將帶動相關供應鏈營收成長。業界指出，台灣供應鏈天虹（6937）、京鼎（3413）、宇川等業者正積極搶進，期望在新世代製程中占有一席之地。

天虹攜手晶圓大廠共同開發ALD設備，可依客戶需求彈性調整腔體配置，展現高度客製化優勢；宇川則為台灣首家專業ALD／CVD（化學氣相沉積）有機金屬前驅物製造商，掌握材料端關鍵技術，產品已獲部分先進製程驗證。法人分析，相關設備與材料供應鏈正迎來新一波成長契機。

半導體業者強調，未來先進製程的勝負關鍵，不再僅是極紫外光（EUV）微影。今年下半年，台積電2奈米與英特爾18A先後進入量產，兩家公司分別採用Nanosheet（奈米片）與RibbonFET架構，均屬立體式設計，讓製程挑戰大幅升高。雖然2奈米的EUV光罩層數並未明顯增加，但如何在複雜3D結構中均勻鍍膜，才是最困難的一環。

業者指出，傳統CVD與PVD（物理氣相沉積）在3D結構上均有限制。以PVD為例，透過蒸鍍或濺鍍方式，往往無法覆蓋內部深層區域；CVD則因氣體反應速率過快，容易導致薄膜厚度不均。

相較之下，ALD透過前驅物（precursor）與晶圓表面逐層反應，反覆循環形成完整薄膜，具備絕佳的「包覆性」與「均勻性」。雖然沉積速度較慢，但在奈米甚至埃米等級結構中，展現無可取代的優勢。

半導體業者指出，ALD的核心在於前驅物材料。近年氨基矽烷、烷基醯胺等新型化合物引入，使前驅物性能大幅提升。例如，有些前驅物能在更高沉積溫度下保持自限性（self-limiting）反應，不僅提高沉積效率，也可改善薄膜的電氣與機械特性。這意味著，掌握關鍵前驅物的廠商，將成為推動先進製程進步的隱形推手。

此外，英特爾也積極嘗試ALE（原子層蝕刻）技術，藉由DUV（浸潤式微影）即可分割電晶體鰭片，製造相當於3奈米的結構。業界認為，該技術雖仍需克服規模化挑戰，但在成本控制上具明顯優勢，具備商業化潛力。

法人分析，隨著電晶體結構立體化、尺寸持續縮小，薄膜沉積的精度要求愈來愈高，已非CVD、PVD可完全勝任，必須仰賴ALD技術，才能實現原子級的均勻與精準控制。台廠在設備精密製造與材料研發上的優勢，將全力搶攻先進製程商機。   <摘錄工商>

　　台積電2奈米（N2）將在2025下半年如期量產，2026年下半年跨入埃米製程時代，原子層沉積（ALD）技術成為延續摩爾定律的關鍵推手。ALD閥業者Swagelok認為，AI帶動高效能晶片需求，ALD站點（製程機台配置）可望翻倍成長，法人看好天虹、京鼎、宇川等台灣在地化供應業者。

　　台積電處長陳健博士表示，能源效率運算是AI成長的核心，需要器件架構創新、微影技術進步、新材料應用、設計技術協同改善（DTCO）及系統技術協同改善（STCO）等多重技術突破。

　　ALD是控制原子層次的沉積技術，能將材料一層層精準堆疊。相較傳統CVD（化學氣相沉積）與PVD（物理氣相沉積），ALD的特性就像「千層派」，能在晶圓表面均勻堆疊薄膜。Swagelok工程管理部門產品設計總監JoaoBorges預期，ALD在製程比重將由目前5∼10％翻倍提升。

　　Swagelok專精於ALD控制閥，最新的精準微量控制（DoseControl）技術，導入感測器與電腦運算，結合預測時間校正演算法與氣動系統改善，達到多閥門開關的精準控制。

　　天虹已有ALD設備交付實績，應用於光學領域。供應鏈透露，天虹正與晶圓代工大廠合作2奈米以下製程，未來TSV、晶背供電結構都將大量導入ALD；尤其在CoWoS-L架構中，被動元件無法耐高溫，必須透過低溫ALD工法完成襯墊（liner）沉積。

　　天虹已有ALD設備交付實績，應用於光學領域。供應鏈透露，天虹正在與晶圓代工大廠合作2奈米以下製程，未來TSV、晶背供電結構，都將大量導入ALD應用；尤其在CoWoS-L架構中，被動元件無法耐高溫，必須透過低溫ALD工法完成襯墊（liner）沉積。

　　ALD前驅物公司宇川指出，金屬前驅物決定沉積材料種類，並需要開發特殊的化學品來實現原子結構的堆疊；如同「穿了衣服的原子」，這些「衣服」在化學品之間不能反應，但在材料表面能與氧化物等反應，以實現精確的單層沉積。   <摘錄工商>

隨著科技產業蓬勃發展，科學園區廠商使用的化學品種類持續增加，新興危害性化學物質的使用也日益普遍，潛在風險不容忽視，為提升應變能力，南科管理局今(24)日與宇川精密材料科技合作舉辦複合式地震災害緊急應變演練暨觀摩活動，此次演練動員了園區聯防支援廠商包括台積電、聯電、群創、瀚宇彩晶、大台南瓦斯、臺南市政府消防局第四救災救護大隊、內政部警政署保安警察第二總隊、環境部化學物質管理署南區專業技術小組等多個單位，共同參與演練。

南科管理局今(24)日與宇川精密材料科技合作舉辦複合式地震災害緊急應變演練暨觀摩活動。 南科/提供
南科管理局主任秘書官嘉明指出，此次演練特別邀請宇川精密材料科技協辦，該公司專注於製造生產使用於半導體先進製程中的有機金屬及先驅化學品，其化學品具有自燃及禁水等特殊性，此次演練模擬了禁水性化學品TMA (三甲基鋁)與TSA(三甲矽烷基胺)的洩漏，因其禁水性特點，不適合用水滅火，故此次演練重點在於人員疏散、搶救及火場控制之部署。


消防局第四大隊長蔡國保表示，近年消防局推動防火管理制度「自己的財產自己保護」，此次演練除結合宇川公司的自衛消防編組運作，提升園區工廠火災自主應變效能外，同時也藉由本次演練透過與南科管理局應變中心、環境事故諮詢小組等聯合救災指揮的真實操演，強化橫向協調機制，保障科學園區場所安全。

演練中，宇川公司先進行了初期救火和洩漏範圍控制的實作，使用蛭石滅火材、乾粉等材料先行抑制洩漏，同時各聯防單位間進行裝備支援和救災部署。此次演練期望增進消防人員對化學品危害特性及存放情況的理解，同時提升整體救災應變效率，迅速處理突發狀況，減少損害。

南科管理局每年定期在臺南與高雄園區與地方政府消防隊及廠商合作舉辦應變災害演練暨觀摩活動，並邀請園區內的相關單位共同參加。11月份將於高雄園區的鑫科材料科技股份有限公司路科分公司舉辦下一場演練，歡迎報名參加，欲了解更多活動信息，可上南科環安網(stspesh.tw/)網站查詢。<摘錄經濟>

為確保半導體關鍵產業優勢，經濟部已規劃推動半導體材料及設備自主，啟動自主開發、目前吸引美國、日本及荷蘭材料、設備大

舉例來說，透過「A世代─半導體設備整機驗證計畫」推動設備在地化。2021年核定通過13案次，包含漢辰、天虹、弘塑、億力鑫等業者開發前段晶圓製程之離子佈植、物理氣相沉積設備及後段先進封裝製程之物理氣相沉積、塗佈顯影等設備，協助導入至半導體國際指標終端業者（台積電、日月光等）驗證，建立我國半導體設備自主技術能力。

半導體材料部分，經濟部表示，2021年迄今已有三菱瓦斯、昭和電工、三井化學、英特格、德山、默克等在台投資，其中默克五至七年內預計投資170億元在高雄擴產，並打造全球首座「大型半導體材料生產暨研發中心」，強化台灣半導體產業競爭力。

經濟部表示，藉由A世代計畫補助新應材、達興材料、長興材料、環球晶圓、華新科技、宇川精密、台灣永光等七家業者開發半導體關鍵材料，但目前尚在進行下游業者之公開（β-site）測試驗證中，藉此培植國內廠商之關鍵材料自主技術。<摘錄工商>

砷化鎵磊晶廠全新 (2455-TW) 去年營收改寫歷史新高，展望今年，董事長陳建良表示，微電子、光電子兩大業務都可望成長，並以「穩健擴張、感測未來」作為今年目標，其中，穿戴感測、車用傳感等光電子應用將可望迎來成長爆發期，法人預期，全新今年營收可望維持雙位數成長，續寫歷史新高。

陳建良表示，全新在砷化鎵、PA(功率放大器) 等微電子應用已超越主要競爭對手，拿下市占第一，今年將持續與團隊努力，力拚穩健擴張，據了解，去年全新與主要對手 IQE 在 RF 磊晶市占率約達 6:4。

光電子業務則是近年支撐全新月營收維持高檔的重要功臣之一，去年以來客戶小量多樣的研發單逐步增加，陳建良說，全新在 VCSEL(垂直共振腔面射型雷射)、ToF(飛時測距)、LiDAR(光達) 應用上皆有斬獲，今年相關應用貢獻可望較去年大幅成長，以 2 月來說，全新光電子營收占比達約 21%，較去年僅約 1 成大幅成長。

全新創辦人兼董事陳懋常也睽違已久露面，對於交棒董座給兒子陳建良這一年多公司營運給予高度肯定，也分享當初美中貿易戰升溫時，就對化合物半導體未來成長深具信心，只是當時市場尚未成熟、發酵，展望未來，認為全新仍有很好的發展機會、希望將餅 (市場) 再做大。

至於近期俄烏交火、地緣政治，陳建良說，來自俄烏地區的原物料極低甚至沒有，因此看來沒有直接影響，不過考量未來地緣政治風險，也持續與台灣在地半導體供應商宇川精密材料等合作，希望深化台灣一條龍產業供應鏈。

全新 2 月受工作天數減少影響，單月營收呈現雙減，達 2.63 億元，月減 9.6%、年減 4.4%，為近 15 個月低點，累計今年前 2 個月營收達 5.53 億元、年增 1%，全新認為隨著工作天數恢復，2 月將是今年營運谷底，3 月可望逐步回升。

<摘錄鉅亨網>

聯華氣體工業(聯華林德)宣布將與半導體物質供應商宇川精密材料(PentaPro Materials)合作，預計未來兩年投資總計新台幣九千萬元，於台南廠區共同開發三甲矽烷基胺(Trisilylamine, TSA)生產設備及產線，預計每年生產產能可達3.6噸，計畫於2020年第三季投產。

雙方正式宣布合作後，聯華林德總經理唐靜洲先生表示，宣布這項新投資是該公司對在地生產特殊氣體承諾持續實踐。伴隨聯華林德Spectra EM產品組合，此投資更能穩定供應台灣、中國及亞洲的電子業客戶需求。
新型TSA生產設備將採用尖端製程，並搭配良好安全及分析基礎設施。考量供應鏈應變計畫，生產廠區策略性地選在對TSA需求與日俱增的亞洲市場。


TSA主要用於邏輯技術節點及3D NAND位元線主要氧化物填充，使用FCVD機台將矽電介質沉積至淺溝槽隔離技術(STI)中。由於3D NAND在存儲層中的堆疊層成長，從而增加存儲孔高度，因此TSA使用正在成長。

聯華林德和宇川精密科技結合雙方在化學、製程技術及分析總計超過三十年經驗，攜手開發TSA並預計於2020年第三季量產。聯華林德將代理此產品銷售，將其納入Spectra EM品牌系列，從亞洲市場出發，陸續為全球半導體產業客戶提供服務。

<摘錄新電子>

聯華林德是聯華實業和林德集團共同成立的合資公司，也是台灣最大的工業氣體製造商。聯華林德18日宣布將與半導體先驅物質供應商宇川精密材料合作，預計在未來兩年投資總計新台幣9,000萬元在台南廠區共同開發三甲矽烷基胺（Trisilylamine, TSA）生產設備及產線，預計每年生產產能可達3.6噸，計畫於2020年第三季投產。

TSA主要用於在先進邏輯技術節點及3D NAND位元線主要氧化物填充，它使用FCVD機台來將矽電介質沉積到淺溝槽隔離技術（STI）中。由於3D NAND在存儲層中的堆疊層增長，從而增加了存儲孔的高度，因此TSA的使用正在成長。

聯華林德和宇川精密科技結合雙方在化學、製程技術及先進分析上加起來超過30年的經驗，攜手開發TSA並預計在2020年第三季量產。聯華林德將獨家代理此產品的銷售，並將其納入Spectra EM品牌系列，率先以亞洲市場出發，陸續為全球半導體產業的客戶提供服務。

在雙方正式宣布合作後，聯華林德總經理唐靜洲表示，非常榮幸宣布這項新投資，這是本公司對在地生產特殊氣體承諾的持續實現。伴隨聯華林德Spectra EM產品組合，這項投資更能穩定供應我們在台灣、中國及亞洲的電子業客戶的需求。<摘錄工商>