ALD助推摩爾定律 天虹、京鼎迎爆發
　　台積電2奈米（N2）將在2025下半年如期量產，2026年下半年跨入埃米製程時代，原子層沉積（ALD）技術成為延續摩爾定律的關鍵推手。ALD閥業者Swagelok認為，AI帶動高效能晶片需求，ALD站點（製程機台配置）可望翻倍成長，法人看好天虹、京鼎、宇川等台灣在地化供應業者。
　　台積電處長陳健博士表示，能源效率運算是AI成長的核心，需要器件架構創新、微影技術進步、新材料應用、設計技術協同改善（DTCO）及系統技術協同改善（STCO）等多重技術突破。

　　ALD是控制原子層次的沉積技術，能將材料一層層精準堆疊。相較傳統CVD（化學氣相沉積）與PVD（物理氣相沉積），ALD的特性就像「千層派」，能在晶圓表面均勻堆疊薄膜。Swagelok工程管理部門產品設計總監JoaoBorges預期，ALD在製程比重將由目前5∼10％翻倍提升。

　　Swagelok專精於ALD控制閥，最新的精準微量控制（DoseControl）技術，導入感測器與電腦運算，結合預測時間校正演算法與氣動系統改善，達到多閥門開關的精準控制。

　　天虹已有ALD設備交付實績，應用於光學領域。供應鏈透露，天虹正與晶圓代工大廠合作2奈米以下製程，未來TSV、晶背供電結構都將大量導入ALD；尤其在CoWoS-L架構中，被動元件無法耐高溫，必須透過低溫ALD工法完成襯墊（liner）沉積。

　　天虹已有ALD設備交付實績，應用於光學領域。供應鏈透露，天虹正在與晶圓代工大廠合作2奈米以下製程，未來TSV、晶背供電結構，都將大量導入ALD應用；尤其在CoWoS-L架構中，被動元件無法耐高溫，必須透過低溫ALD工法完成襯墊（liner）沉積。

　　ALD前驅物公司宇川指出，金屬前驅物決定沉積材料種類，並需要開發特殊的化學品來實現原子結構的堆疊；如同「穿了衣服的原子」，這些「衣服」在化學品之間不能反應，但在材料表面能與氧化物等反應，以實現精確的單層沉積。 <摘錄工商>

申請上市櫃快了，股東會已經提起上市櫃前原股東放棄認股議案


(7887)宇川精材-公告本公司董事會決議召開115年股東會常會相關事宜

1.董事會決議日期：115/03/20
2.股東會召開日期：115/06/09
3.股東會召開地點：南部科學園區管理局《南科臺南園區行政大樓，一樓演藝廳》
4.股東會召開方式(實體股東會/視訊輔助股東會/視訊股東會)：實體股東會
5.召集事由一：報告事項
(1)：114年度營業報告
(2)：監察人審查114年度決算表冊報告
(3)：健全營運計畫書執行情形報告
6.召集事由二：討論事項
(1)：廢止『監察人之職權範疇規則』案
(2)：本公司股票申請上市(櫃)案
(3)：提請全體股東放棄原股東可認購現金增資認股權利
，以配合初次上市(櫃)新股承銷相關法規案。
7.召集事由三：選舉事項
(1)：全面改選董事(含獨立董事)選舉案
8.臨時動議：
9.停止過戶起始日期：115/04/11
10.停止過戶截止日期：115/06/09
11.其他應敘明事項：(一)依公司法第172條之1及第192條之1規定，
持有本公司已發行股份百分之一以上股份之股東，
得以書面向本公司提出股東常會議案及董事(含獨立董事)候選人名單，
股東如欲於本次股東常會提案或提名董事(含獨立董事)候選人者，
本公司擬定於115年3月30日起至115年4月9日止，
受理股東就本次股東常會之提案或提名，
凡有意提案或提名之股東，應於115年4月9日下午5時前，
將提案或提名函件寄(送)達本公司受理處所：
臺南市新市區大業一路13號(本公司財會部)，
郵寄者以提案或提名函件寄達受理處所為憑。
(二)提案及提名方式均依公司法相關規定辦理，
本公司將另行召集董事會處理股東提案或提名，
並將處理結果為必要之通知。

今日成交量好大~~~2500張了~~~

底部出現這個成交量~~~觀察看看

GAA製程使用越多高接薄膜
由PVTEM與XTEM照片可以清楚知道，相較於鰭式架構，GAA架構在製程上的複雜度與困難度都高出許多，也導入了多項新的製程，包含磊晶成長(SiGe/Si epitaxy；S/D epitaxy)、蝕刻(Fin reveal、cavity etch、NW release)…等等。由於製程節點已來到只有數奈米級，為了讓電晶體能夠發揮最佳效能，製程要求的規格已經到了原子級的嚴謹程度，多一排或少一排原子最後都會造成電晶體在效能上的差異或甚至失效